一种Micro LED的ICP刻蚀侧壁缺陷修复方法技术

本发明专利技术涉及一种Micro LED的ICP刻蚀侧壁缺陷修复方法，包括：(1)对所述Micro LED进行湿法腐蚀工艺；(2)对所述湿法腐蚀后的所述Micro LED进行热退火处理；(3)对热退火处理后的所述Micro LED进行钝化处理。本发明专利技术选择特有的刻蚀掩膜材料、优化独有的ICP刻蚀工艺参数、开创独有的湿法腐蚀、热退火处理工艺以及侧壁钝化技术，基本改善了小尺寸Micro LED微缩化中的“边缘效率尺寸效应”的问题，大幅提升了其Micro LED的外量子效率EQE。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种micro led的icp刻蚀侧壁缺陷修复方法，属于led芯片制备。

技术介绍

1、micro led是传统发光二极管微缩化、去衬底、尺寸小于50μm的半导体发光单元，具有自发光、体积小、高分辨率、高流明效率、高亮度输出能力、高对比度、高调制带宽、长寿命和高稳定性等优势特点，可用于微显示、车载、移动产品等诸多场景，在微型显示器件方面，相比于lcd和oled显示，micro led显示具有更高的亮度、对比度、分辨率、更长的寿命、更快地响应度等优异性能。

2、作为micro led微缩化中的重要一环，随着led尺寸缩小，由于icp刻蚀侧壁缺陷引发的非辐射复合几率增加，从而导致led的出光效率随尺寸的缩小而下降，该现象被称为“边缘效率尺寸效应”。当尺寸缩小到micro led的尺寸范围时(＜50μm的led芯片)，由于侧壁面积与台面面积的比值(侧壁表面比)在变大，“边缘效率尺寸效应”会变得非常严重，因此micro led的发光效率远低于照明用的中大尺寸芯片，很难达到微显示的要求。

3、针对微缩化中的“边缘效率尺寸效应”问本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro LED的ICP刻蚀侧壁缺陷修复方法，其特征在于，所述Micro LED的结构包括外延结构、ICP刻蚀沟槽结构、钝化层、P电极、N电极；所述外延结构包括由下自上依次生长的衬底、N型外延层、多量子阱层和P型外延层；所述ICP刻蚀沟槽结构贯穿所述P型外延层和所述量子阱层，将所述外延层结构分为位于N型外延层上的第一表面、P型外延层上的第二表面以及ICP刻蚀侧壁；所述P电极设置于所述P型外延层上；所述N电极设置于所述N型外延层上；所述钝化层包括设置于所述ICP刻蚀侧壁表面以及除所述P电极、所述N电极以外整个Micro LED芯片正面的上表面；包括：

<p>2.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种micro led的icp刻蚀侧壁缺陷修复方法，其特征在于，所述micro led的结构包括外延结构、icp刻蚀沟槽结构、钝化层、p电极、n电极；所述外延结构包括由下自上依次生长的衬底、n型外延层、多量子阱层和p型外延层；所述icp刻蚀沟槽结构贯穿所述p型外延层和所述量子阱层，将所述外延层结构分为位于n型外延层上的第一表面、p型外延层上的第二表面以及icp刻蚀侧壁；所述p电极设置于所述p型外延层上；所述n电极设置于所述n型外延层上；所述钝化层包括设置于所述icp刻蚀侧壁表面以及除所述p电极、所述n电极以外整个micro led芯片正面的上表面；包括：

2.根据权利要求1所述的一种micro led的icp刻蚀侧壁缺陷修复方法，其特征在于，步骤(1)中，根据外延结构的不同，所述湿法腐蚀工艺选择不同的湿法腐蚀工艺，外延结构为蓝光gainn基时，选择四甲基氢氧铵tmah的水溶液进行湿法腐蚀，修复icp刻蚀侧壁的缺陷；外延结构为红光algainp基时，选择溴水溶液进行湿法腐蚀，修复icp刻蚀侧壁的缺陷，溴水溶液为液溴、h2o和hbr的混合溶液。

3.根据权利要求1所述的一种micro led的icp刻蚀侧壁缺陷修复方法，其特征在于，步骤(2)中，所述四甲基氢氧铵tmah的水溶液的质量浓度为10-30％，所述四甲基氢氧铵tmah的水溶液的温度为60-85℃，湿法腐蚀时间为90-180min；所述溴水溶液中液溴的质量含量为0.1-0.5％，hbr的质量含量为1.5-5.9％，配置完成后静置1天后使用，常温下使用溴水溶液湿法腐蚀3-20min。

4.根据权利要求1所述的一种micro led的icp刻蚀侧壁缺陷修复方法，其特征在于，步骤(3)中，所述热退火处理选择在n2氛围下rta快退火方式进行，温度为45...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭立龙，彭璐，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：