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本发明涉及一种Micro LED的ICP刻蚀侧壁缺陷修复方法，包括：(1)对所述Micro LED进行湿法腐蚀工艺；(2)对所述湿法腐蚀后的所述Micro LED进行热退火处理；(3)对热退火处理后的所述Micro LED进行钝化处理。本发...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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