【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种用于边缘刻蚀的上电极环、上电极组件及刻蚀设备。
技术介绍
1、通常，刻蚀过程中等离子体密度在该衬底的边缘附近比较低，这可能导致多晶硅层、氮化物层、金属层等(共同被称为副产物层)在该衬底斜面边缘的上下表面累积。当连续的副产物层由于一些不同的刻蚀工艺而沉积在该衬底斜面边缘的上下表面时，该副产物层和该衬底之间的粘合会变弱从而该副产物层在衬底转移过程中可能散裂或剥落，容易落在其它衬底上，污染其它衬底。
2、为了去除半导体晶圆的斜面边缘处的副产物层，需要对其进行边缘刻蚀。晶圆边缘刻蚀通过在晶圆边缘区域流入工艺气体产生等离子体用于去除清洁晶圆的边缘、背面及斜面的沉积物。现有技术中通常通过在基板上设置若干密集气孔将气体送入腔体内部，但由于上电极距离晶圆间隙小，密集气孔间隙中气体会不均匀或出现局部没有气体，从而影响边缘刻蚀效果。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种上电极环、上电极组件和刻蚀设备，能够在晶圆的边缘区域均匀的供应工艺气体，均匀的工艺气体在晶圆的边缘区域形成均匀的等离子体，均匀的等离子体能够有效地清洁晶圆的边缘、背面及斜面的沉积物。
2、为达到上述目的，本专利技术提供了一种用于边缘刻蚀的上电极环，包括：工艺气体进气通道和周向设置的工艺气体匀气槽；所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通，所述工艺气体进气通道贯穿所述上电极环的上表面，所述工艺气体匀气槽贯穿所述上电极环的下表面。
3、可选地，在任一所述工艺气
4、可选地，在任一所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通的剖面内，所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽之间形成夹角，且所述夹角为135度。
5、可选地，所述工艺气体进气通道为若干工艺气体供应孔。
6、可选地，若干所述工艺气体供应孔在所述上电极环的周向等间隔均匀设置。
7、另一方面，本专利技术还提供了一种边缘刻蚀设备的上电极组件，包括：
8、装配基板，设置有工艺气体供应通道；
9、介电板，配置于所述装配基板的下表面，与所述装配基板中心对齐；
10、如上述的上电极环，所述上电极环配置于所述装配基板的下表面和所述介电板的外围；其中所述工艺气体供应通道与所述工艺气体进气通道连通。
11、可选地，所述工艺气体供应通道包括：工艺气体供应孔、环形的工艺气腔以及若干工艺气体连接孔；所述工艺气体供应孔贯穿所述装配基板的上表面，若干所述工艺气体连接孔贯穿所述装配基板的下表面；所述工艺气体供应孔和若干工艺气体连接孔均与所述工艺气腔连通。
12、可选地，若干所述工艺气体连接孔与所述工艺气体进气通道连通。
13、可选地，还包括：绝缘环，设置于所述上电极环与所述介电板之间。
14、可选地，所述介电板包括：保护气体进气通道，用于接入保护气体。
15、可选地，所述装配基板上包括保护气体供应通道，与所述保护气体进气通道连通。
16、可选地，所述保护气体进气通道包括：吹扫气腔、吹扫匀气槽和若干吹扫连接孔；所述吹扫气腔为介电板上表面中心处的圆形凹陷部，所述吹扫匀气槽贯穿所述介电板的下表面；所述吹扫连接孔的两端分别与所述吹扫气腔与所述吹扫匀气槽连通。
17、可选地，所述保护气体进气通道还包括：中心气孔，与所述吹扫气腔连通，且在所述介电板的中心贯穿所述介电板的下表面。
18、可选地，所述吹扫匀气槽具有环形的进气口和环形的出气口；所述进气口的直径小于或等于出气口的直径。
19、再一方面，本专利技术还提供了一种刻蚀设备，包括：
20、腔体；
21、基座，设置在所述腔体内部，用于承载晶圆；
22、如上述的上电极组件，位于所述基座的上方；
23、所述工艺气体匀气槽朝向所述晶圆边缘。
24、相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：
25、本专利技术能够在晶圆的边缘区域均匀的供应工艺气体，均匀的工艺气体在晶圆边缘区域形成均匀的等离子体，均匀的等离子体能够有效地清洁晶圆的边缘、背面及斜面的沉积物。
26、本专利技术接入了保护气体，保护气体由晶圆上表面中部向晶圆上表面边缘进行吹扫，能够使形成的等离子体仅存在于晶圆的边缘、背面及斜面周围，仅对晶圆的边缘、背面及斜面进行清洁，而不会进入晶圆上表面中部，也就不会对晶圆上表面中部区域造成损坏。
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1.一种用于边缘刻蚀的上电极环，其特征在于，包括：工艺气体进气通道和周向设置的工艺气体匀气槽；所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通，所述工艺气体进气通道贯穿所述上电极环的上表面，所述工艺气体匀气槽贯穿所述上电极环的下表面。
2.如权利要求1所述的上电极环，其特征在于，在任一所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通的剖面内，所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽不共线。
3.如权利要求2所述的上电极环，其特征在于，在任一所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通的剖面内，所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽之间形成夹角，且所述夹角为135度。
4.如权利要求1所述的上电极环，其特征在于，所述工艺气体进气通道为若干工艺气体供应孔。
5.如权利要求4所述的上电极环，其特征在于，若干所述工艺气体供应孔在所述上电极环的周向等间隔均匀设置。
6.一种边缘刻蚀设备的上电极组件，包括：
7.如权利要求6所述的上电极组件，其特征在于，所述工艺气体供应通道包括：工艺气体供应孔、环形的工艺气腔以及若干工艺气体连
8.如权利要求7所述的上电极组件，其特征在于，若干所述工艺气体连接孔与所述工艺气体进气通道连通。
9.如权利要求6所述的上电极组件，其特征在于，还包括：绝缘环，设置于所述上电极环与所述介电板之间。
10.如权利要求6所述的上电极组件，其特征在于，所述介电板包括：保护气体进气通道，用于接入保护气体。
11.如权利要求10所述的上电极组件，其特征在于，所述装配基板上包括保护气体供应通道，与所述保护气体进气通道连通。
12.如权利要求10所述的上电极组件，其特征在于，所述保护气体进气通道包括：吹扫气腔、吹扫匀气槽和若干吹扫连接孔；所述吹扫气腔为介电板上表面中心处的圆形凹陷部，所述吹扫匀气槽贯穿所述介电板的下表面；所述吹扫连接孔的两端分别与所述吹扫气腔与所述吹扫匀气槽连通。
13.如权利要求12所述的上电极组件，其特征在于，所述保护气体进气通道还包括：中心气孔，与所述吹扫气腔连通，且在所述介电板的中心贯穿所述介电板的下表面。
14.如权利要求12所述的上电极组件，其特征在于，所述吹扫匀气槽具有环形的进气口和环形的出气口；所述进气口的直径小于或等于出气口的直径。
15.一种刻蚀设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于边缘刻蚀的上电极环，其特征在于，包括：工艺气体进气通道和周向设置的工艺气体匀气槽；所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通，所述工艺气体进气通道贯穿所述上电极环的上表面，所述工艺气体匀气槽贯穿所述上电极环的下表面。
2.如权利要求1所述的上电极环，其特征在于，在任一所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通的剖面内，所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽不共线。
3.如权利要求2所述的上电极环，其特征在于，在任一所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通的剖面内，所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽之间形成夹角，且所述夹角为135度。
4.如权利要求1所述的上电极环，其特征在于，所述工艺气体进气通道为若干工艺气体供应孔。
5.如权利要求4所述的上电极环，其特征在于，若干所述工艺气体供应孔在所述上电极环的周向等间隔均匀设置。
6.一种边缘刻蚀设备的上电极组件，包括：
7.如权利要求6所述的上电极组件，其特征在于，所述工艺气体供应通道包括：工艺气体供应孔、环形的工艺气腔以及若干工艺气体连接孔；所述工艺气体供应孔贯穿所述装配基板的上表面，若干所述工艺气体连接孔贯穿所述装配基板的下表面；所述工艺气体供应孔和若干工艺气体连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：王明明，连增迪，叶如彬，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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