【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种用于边缘刻蚀的上电极环、上电极组件及刻蚀设备。
技术介绍
1、通常，刻蚀过程中等离子体密度在该衬底的边缘附近比较低，这可能导致多晶硅层、氮化物层、金属层等(共同被称为副产物层)在该衬底斜面边缘的上下表面累积。当连续的副产物层由于一些不同的刻蚀工艺而沉积在该衬底斜面边缘的上下表面时，该副产物层和该衬底之间的粘合会变弱从而该副产物层在衬底转移过程中可能散裂或剥落，容易落在其它衬底上，污染其它衬底。
2、为了去除半导体晶圆的斜面边缘处的副产物层，需要对其进行边缘刻蚀。晶圆边缘刻蚀通过在晶圆边缘区域流入工艺气体产生等离子体用于去除清洁晶圆的边缘、背面及斜面的沉积物。现有技术中通常通过在基板上设置若干密集气孔将气体送入腔体内部，但由于上电极距离晶圆间隙小，密集气孔间隙中气体会不均匀或出现局部没有气体，从而影响边缘刻蚀效果。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种上电极环、上电极组件和刻蚀设备，能够在晶圆的边缘区域均匀的供应工艺气体，均匀的工艺气体在...
【技术保护点】
1.一种用于边缘刻蚀的上电极环，其特征在于，包括：工艺气体进气通道和周向设置的工艺气体匀气槽；所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通，所述工艺气体进气通道贯穿所述上电极环的上表面，所述工艺气体匀气槽贯穿所述上电极环的下表面。
2.如权利要求1所述的上电极环，其特征在于，在任一所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通的剖面内，所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽不共线。
3.如权利要求2所述的上电极环，其特征在于，在任一所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通的剖面内，所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽之间形成夹角，且所述
【技术特征摘要】
1.一种用于边缘刻蚀的上电极环，其特征在于，包括：工艺气体进气通道和周向设置的工艺气体匀气槽；所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通，所述工艺气体进气通道贯穿所述上电极环的上表面，所述工艺气体匀气槽贯穿所述上电极环的下表面。
2.如权利要求1所述的上电极环，其特征在于，在任一所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通的剖面内，所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽不共线。
3.如权利要求2所述的上电极环，其特征在于，在任一所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通的剖面内，所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽之间形成夹角，且所述夹角为135度。
4.如权利要求1所述的上电极环，其特征在于，所述工艺气体进气通道为若干工艺气体供应孔。
5.如权利要求4所述的上电极环，其特征在于，若干所述工艺气体供应孔在所述上电极环的周向等间隔均匀设置。
6.一种边缘刻蚀设备的上电极组件，包括：
7.如权利要求6所述的上电极组件，其特征在于，所述工艺气体供应通道包括：工艺气体供应孔、环形的工艺气腔以及若干工艺气体连接孔；所述工艺气体供应孔贯穿所述装配基板的上表面，若干所述工艺气体连接孔贯穿所述装配基板的下表面；所述工艺气体供应孔和若干工艺气体连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：王明明，连增迪，叶如彬，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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