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本发明公开了一种上电极环、上电极组件和刻蚀设备，上电极环包括工艺气体进气通道和周向设置的工艺气体匀气槽；所述工艺气体进气通道与所述工艺气体匀气槽连通，所述工艺气体进气通道贯穿所述上电极环的上表面，所述工艺气体匀气槽贯穿所述上电极环的下表面。...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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