抗PID晶体硅电池的高频放电制备法制造技术

技术编号:11415066 阅读:116 留言:0更新日期:2015-05-06 14:52
本发明专利技术提供一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法,它是将硅片基材进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺流程处理后,再将处理过的硅片基材置于常温常压相对密闭的空间内用高频发射器放电激发氧气生成臭氧流喷向硅片表面,使臭氧对硅片基材表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜,之后采用PECVD设备在二氧化硅膜上沉积常规的氮化硅减反射膜,然后对硅片基材进行正电极印刷、烧结等常规工艺,直至硅片基材加工完成。它的效果在于:1、耗时短、生产效率高;2、生产成本低,可比现有技术降低50%;3、使用简单方便;4、具有良好的抗PID效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种抗PID晶体硅电池的高频放电制备法,包括将硅片基材进行制绒、扩散、边缘刻蚀常规工艺流程处理后,其特征在于,还包括再将处理过的硅片基材置于常温常压相对密闭的空间内用高频发射器放电激发氧气生成臭氧流喷向硅片表面,使臭氧对硅片基材表面进行氧化并产生一层二氧化硅膜,之后采用PECVD设备在二氧化硅膜上沉积常规的氮化硅减反射膜,然后对硅片基材进行正电极印刷、烧结等常规工艺,直至硅片基材加工完成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孙杰熊大明龚海波习冬勇万小强高杨
申请(专利权)人:江西瑞晶太阳能科技有限公司
类型:发明
国别省市:江西;36

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