【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提出了一种发光二极管结构，通过N电极区域设有表面粗糙的凹槽结构，从而增加发光面积，改变全反射临界角，减少了发生全反射现象，以达到提升发光二极管的光萃取效率；通过在表面粗糙的凹槽结构上形成N电极，可以增加电极与凹槽结构的接触面积，从而增加电极粘附性，提高发光二极管的可靠性。【专利说明】一种发光二极管结构
本技术涉及半导体
，尤其是一种可以增加出光面积、提高光萃取效率的发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管(英文为Light Emitting D1de，简称LED)是半导体二极管的一种，它能将电能转化为光能，发出黄、绿、蓝等各种颜色的可见光及红外和紫外不可见光。 如图1所示，在常规正装发光二极管结构中，包括基板100，由下往上堆叠的N型层101、发光区102、P型层103、电流扩展层105、P电极106以及设置在裸露的N型层107表面上的N电极106。由于N电极区域107是平面结构，不利于光导出，且光滑平面会增加发生全反射机率，限制了光的萃取效率。
技术实现思路
为解决上述现有技术中存在的问题，本技术提出一...
【技术保护点】
一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的量子阱层组成的发光外延层，以及位于第二半导体层上的P电极、位于第一半导体层上的N电极，其特征在于：所述N电极区域设有表面粗糙的凹槽结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭康伟，林素慧，许圣贤，林潇雄，刘传桂，郑建森，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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