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本实用新型提出了一种发光二极管结构，通过N电极区域设有表面粗糙的凹槽结构，从而增加发光面积，改变全反射临界角，减少了发生全反射现象，以达到提升发光二极管的光萃取效率；通过在表面粗糙的凹槽结构上形成N电极，可以增加电极与凹槽结构的接触面积，从...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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