一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法技术

技术编号：40244431 阅读：7 留言：0更新日期：2024-02-02 22:41

本发明专利技术公开了一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，涉及半导体器件加工技术领域，具体为一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，包括以下操作步骤：步骤(1)：将晶片贴在研磨盘上，用研磨设备对衬底面进行研磨减薄；步骤(2)：将步骤(1)中减薄后的晶片放在贴膜机上加热，衬底背面朝下，将芯片贴在蓝膜上；步骤(3)：将步骤(2)处理后的晶片放进高压清洗机中，高压清洗机进行清洗。该改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，能够有效去除研磨后的表面残渣及研磨痕迹的残渣，同时对衬底表面没有任何损害且降低去除衬底表面残渣时的裂片率，增加衬底与蒸镀金属的粘附性，该方法操作简单，效率高。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件加工，具体为一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法。

技术介绍

1、目前制作半导体发光二极管的衬底材料主要有以下几种：蓝宝石(al2o3)、硅(si)、碳化硅(sic)、砷化镓(gaas)、aln、zno等。

2、砷化镓衬底目前主要应用在红黄橙光的发光二极管的制作中，砷化镓属于ⅲ－ⅴ族化合物半导体，它拥有比硅还要好的电子特性，它在高频时产生的噪音较少，砷化镓同时是直接能隙的材料，具有良好的发光特性。不管是何种衬底，制作led管芯过程中对衬底进行减薄是必不可少的(后续切割管芯需要)，但是砷化镓衬底因为本身材质因素，在常规减薄过程中会在gaas衬底表面产生大量的较小尺寸的碎屑，该种碎屑在常规清洗方法中很难清洗(且减薄后晶片总厚度一般在50-200μm之间，尺寸较薄，清洗过度极易产生裂片、碎片损失)，但是gaas基led的n面电极的制作必须在减薄衬底面完成，所以生产中必须尽量减少该种减薄后残渣碎屑的产生，针对该研磨碎屑难清理的现象，所以专利技术一种能够快速有效去除表面杂质且不像化学腐蚀那样对晶片产生损伤(影响翘度度等)，对后续作业无影响、制作成本较低的工艺方法。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、本专利技术提供了一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，具备工艺简单，操作方便、清理效果好、裂片率低等优点，解决了上述提出的问题。

3、(二)技术方案

4、本专利技术提供如下技术方案：一种改善研磨后晶片衬底与金

5、步骤(1)：将晶片贴在研磨盘上，用研磨设备对衬底面进行研磨减薄；

6、步骤(2)：将步骤(1)中减薄后的晶片放在贴膜机上加热，衬底背面朝下，将芯片贴在蓝膜上；

7、步骤(3)：将步骤(2)处理后的晶片放进高压清洗机中，高压清洗机进行清洗，清洗液体为表面活性剂和水的混合液体；

8、步骤(4)：将步骤(3)中完成的晶片放在加热温度为50-70℃的超声波清洗机的水槽，超声频率为10-20khz，时间为30-60秒；

9、步骤(5)：将步骤(4)处理后的晶片用热氮烘干机进行烘干；

10、步骤(6)：将(3)作业完的晶片进行背面蒸镀作业，蒸镀金属(au、ge、ni)厚度30000-40000埃；

11、优选的，步骤(1)中，所述晶片减薄厚度为80-200μm。

12、优选的，步骤(2)中，所述加热温度为50-60℃。

13、优选的，步骤(2)中，所述蓝膜型号包括但不限于spv-224、ydx-p0250-r85，所述蓝膜的尺寸为220mm*100m-260mm*100m。

14、优选的，步骤(3)中，所述高压清洗机为二流体清洗机，在氮气催动下将水喷出，压力为4-8mpa，所用清洗液体中表面活性剂与水的比例为1:4。优选的，所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠，所述清洗机转速为600-900rpm。

15、优选的，步骤(5)中，所述热氮烘干机烘干温度为50-80℃，氮气压力为0.2-0.7mpa，氮气为5n氮气。

16、(三)有益效果

17、本专利技术具备以下有益效果：

18、1、该改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，能够有效去除研磨后的表面残渣及研磨痕迹的残渣，同时对衬底表面没有任何损害，且降低去除衬底表面残渣时的裂片率，增加衬底与蒸镀金属的粘附性，该方法操作简单，效率高。

19、2、该改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，工艺简单，操作方便，能够广泛适用于适gaas砷化镓基、硅基及其它制备led衬底的晶片切割、裂片中。

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【技术保护点】

1.一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于，包括以下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述晶片减薄厚度为80-200μm。

3.根据权利要求1所述的一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于；步骤(2)中，所述加热温度为50-60℃。

4.根据权利要求1所述的一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述蓝膜型号包括但不限于SPV-224、YDX-P0250-R85，所述蓝膜的尺寸为220mm*100m-260mm*100m。

5.根据权利要求1所述的一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于：步骤(3)中，所述高压清洗机为二流体清洗机，在氮气催动下将水喷出，压力为4-8Mpa，所用清洗液体中表面活性剂与水的比例为1:4。

6.根据权利要求5所述的一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于：所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠，所述清洗机转速为600-900rpm。

7.根据

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【技术特征摘要】

1.一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于，包括以下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于：步骤(1)中，所述晶片减薄厚度为80-200μm。

3.根据权利要求1所述的一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于；步骤(2)中，所述加热温度为50-60℃。

4.根据权利要求1所述的一种改善研磨后晶片衬底与金属粘附性的方法，其特征在于：步骤(2)中，所述蓝膜型号包括但不限于spv-224、ydx-p0250-r85，所述蓝膜的尺寸为220mm*100m-260mm*100...

【专利技术属性】
技术研发人员：李法健，吴金凤，吴向龙，闫宝华，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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