【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片，具体为一种led晶片的切割保护层的制作及使用方法。
技术介绍
1、在半导体芯片制备工艺中，切割就是将经过光刻、镀膜、减薄等工艺制程后的整个芯片分割成所需求尺寸的单一晶粒的过程，这是半导体芯片制备工艺中不可或缺的一道工序。对于半导体芯片，目前业界采用最广泛的切割方式是锯片切割、激光划片。激光切割是随着激光技术的发展而出现的一种新型的切割技术，主要有激光表面切割和隐形切割两种。激光切割是通过一定能量密度和波长的激光束聚焦在芯片表面或内部，通过激光在芯片表面或内部灼烧出划痕，然后再用裂片机沿划痕裂开，形成若干小的芯片。
2、在激光表面切割的过程中，高能量烧蚀出现的材料回融、气化、飞溅，会导致粉尘掉落并粘连在晶粒表面而影响下道工序，这些都对器件产生不良影响。为解决此问题，可从激光器和切割方法两方面入手，激光脉冲宽度达到皮秒级或更短的情况下能够有效改善，但目前皮秒激光器价格昂贵，设备成本高。切割方法则可以使用切割保护液涂敷表面，以减少粉尘或者热效应等不良影响。
3、通常使用切割保护液对晶圆表面进行涂敷，保护液为粘稠状液体，成分是有机溶剂、水的混合物，在环保日益严格的今天，对保护液的使用、回收，以及保护液去除过程中使用的水，均需进行尾水处理。如cn113814575a公开了一种激光切割保护液及其制备方法和应用，所述的激光切割保护液包括水溶性树脂、共沸溶剂、多元醇、水溶性紫外吸收剂、水溶性抗氧剂、ph调节剂和防腐蚀剂的组合；所述共沸溶剂由水和沸点高于145℃的高沸点溶剂组成；以及cn10920
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种led晶片的切割保护层的制作及使用方法，通过低温冷冻水制作冰层覆盖晶片，防止切割过程中气化、飞溅的粉尘对晶圆的污染，解决了上述提出的问题。
2、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种led晶片的切割保护层的制作及使用方法，包括步骤如下：
3、(1)将晶圆贴膜至蓝膜载体，并用圆形frame固定；
4、(2)将frame放置到冷冻机承片台；
5、(3)调整冷冻机流水速度、时间，使蓝膜及晶圆表面结冰，冰层厚度30-100um；
6、(4)将frame取出，快速转移到激光切割设备；
7、(5)激光切割设备按照所需图形进行切割；
8、(6)完成切割后，将低温夹具连同蓝膜取出；
9、(7)取下低温夹具，蓝膜放置到纯水中冲刷；
10、(8)蓝膜载体经二流体清洗，获得干净、干燥的切割后晶圆。
11、优选的，步骤(1)中，所述晶片为减薄后的晶圆，厚度为80-200μm。
12、优选的，步骤(2)中，所述冷冻机具备-18℃至5℃的调温能力，冷冻机上部为低温区，温度为-10℃至-5℃，底部温度为-2℃至2℃。
13、优选的，步骤(3)中，所述流水为半导体行业的纯水超纯水，水的电阻率达到8-10mω.cm。
14、优选的，步骤(3)中，所述冰层厚度在30-100um。
15、优选的，步骤(4)中，所述激光切割设备为激光表面烧蚀切割机，激光波长可以是紫外、绿光、红外等任何波长。激光划片机承片台具有-5℃至-1℃的控温装置。
16、本专利技术未详尽说明的均为本领域现有常规化技术，未详尽说明的仪器设备均为现有装置。
17、本专利技术提供了一种led晶片的切割保护层的制作及使用方法，具备以下有益效果：
18、1、该led晶片的切割保护层的制作及使用方法，通过使用半导体行业常用的纯水为原材料，通过低温冷冻纯水的方式获得厚度30-100um的冰层，使用冰层覆盖晶圆，防止切割过程中气化、飞溅的粉尘对晶圆的污染，杜绝了保护液的化学品运输、存储，也不需要对废弃液体进行废水处理，具有廉价、环保、便捷的优点。
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1.一种LED晶片的切割保护层的制作及使用方法，其特征在于：包括步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种LED晶片的切割保护层的制作及使用方法，其特征在于：步骤(1)中，所述晶片为减薄后的晶圆，厚度为80-200μm。
3.根据权利要求1所述的一种LED晶片的切割保护层的制作及使用方法，其特征在于：步骤(2)中，所述冷冻机具备-18℃至5℃的调温能力，冷冻机上部为低温区，温度为-10℃至-5℃，底部温度为-2℃至2℃。
4.根据权利要求1所述的一种LED晶片的切割保护层的制作及使用方法，其特征在于：步骤(3)中，所述流水为半导体行业的纯水超纯水，水的电阻率达到8-10MΩ.cm。
5.根据权利要求1所述的一种LED晶片的切割保护层的制作及使用方法，其特征在于：步骤(3)中，所述冰层厚度在30-100um。
6.根据权利要求1所述的一种LED晶片的切割保护层的制作及使用方法，其特征在于：步骤(4)中，所述激光切割设备为激光表面烧蚀切割机，激光波长可以是紫外、绿光、红外等任何波长。
【技术特征摘要】
1.一种led晶片的切割保护层的制作及使用方法，其特征在于：包括步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种led晶片的切割保护层的制作及使用方法，其特征在于：步骤(1)中，所述晶片为减薄后的晶圆，厚度为80-200μm。
3.根据权利要求1所述的一种led晶片的切割保护层的制作及使用方法，其特征在于：步骤(2)中，所述冷冻机具备-18℃至5℃的调温能力，冷冻机上部为低温区，温度为-10℃至-5℃，底部温度为-2℃至2℃。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭璐，王彦丽，刘鹏，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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