【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件及其制造方法，特别涉及使主焊垫部及子焊垫部仅经由桥接焊垫单元与焊垫接合单元连接的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件及其制造方法。
技术介绍
1、请参考图1，其是显示已知半导体元件的焊垫结构的剖视示意图。如图1所示，此已知的半导体元件的焊垫结构中每一层的金属层m13、m23、m33、m43，及连接每一层的金属层m13、m23、m33、m43的连接单元via4，与每一层的介电层都对下方的金属氧化物半导体元件的栅极具有严重的电浆伤害效应(或称天线效应)。如此将会使下方的金属氧化物半导体元件的栅极容易被击穿而受损。
2、有鉴于此，本专利技术提出一种具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件及其制造方法，其可以有效降低电浆伤害效应。
技术实现思路
1、于一观点中，本专利技术提供了一种具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，包括：一主焊垫部(main pad portion)，包括对应形成于多个金属层中的多个主导体单元(main conductor unit)与对应形成于多个介电层中的多个主层间连接单元(main viaunit)，其中多个该主层间连接单元对应电连接多个该主导体单元，而使多个该主导体单元彼此电连接；一子焊垫部(sub-pad portion)，包括对应形成于多个该金属层中的多个子导体单元(sub-conductor unit)与对应形成于多个该介电层中的多个子层间连接单元(sub-via unit)，其中多个该子层
2、于另一观点中，本专利技术提供了一种具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，包括：以一图案化工艺步骤，形成一主焊垫部与一子焊垫部，其中该主焊垫部包括对应形成于多个金属层中的多个主导体单元与对应形成于多个介电层中的多个主层间连接单元，其中多个该主层间连接单元对应电连接多个该主导体单元，而使多个该主导体单元彼此电连接，其中该子焊垫部包括对应形成于多个该金属层中的多个子导体单元与对应形成于多个该介电层中的多个子层间连接单元，其中多个该子层间连接单元对应电连接多个该子导体单元，而使多个该子导体单元彼此电连接，且该子焊垫部电连接至少一mos元件的栅极；形成一焊垫接合单元(pad bonding unit)，使得该焊垫接合单元与一顶主导体单元直接接触且连接，其中该顶主导体单元是形成于最上方的该金属层中的该主导体单元；以及形成一桥接焊垫单元(bridge pad unit)，使得该桥接焊垫单元与一顶子导体单元直接接触且连接，其中该顶子导体单元是形成于最上方的该金属层中的该子导体单元；其中该桥接焊垫单元与该焊垫接合单元直接接触且连接；其中该主焊垫部与该子焊垫部分别位于该焊垫接合单元与该桥接焊垫单元下方，且该主焊垫部与该子焊垫部彼此不直接连接。
3、于一实施例中，该子导体单元环绕形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元。
4、于一实施例中，该子导体单元不环绕形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元，而是位在形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元外侧，并具有一点状结构。
5、于一实施例中，每一该主导体单元的表面积大于每一该子导体单元的表面积。
6、于一实施例中，多个该子导体单元的表面积与该栅极的表面积间的比例，低于一预设天线设计规范比例。
7、于一实施例中，该焊垫接合单元与该桥接焊垫单元形成于位在该主焊垫部与该子焊垫部上的一重分布层(redistribution layer，rdl)中，且该重分布层与最上方的该金属层直接连接。
8、于一实施例中，该主导体单元与该子导体单元的材质为铜或铝。
9、于一实施例中，该焊垫接合单元与该桥接焊垫单元的材质为铝。
10、于一实施例中，该桥接焊垫单元与该焊垫接合单元是利用电镀工艺步骤形成。
11、本专利技术的优点为本专利技术通过利用电镀工艺步骤形成焊垫接合单元与桥接焊垫单元且使主焊垫部与子焊垫部之间仅通过焊垫接合单元与桥接焊垫单元连接，可显著降低电浆伤害。
12、以下通过具体实施例详加说明，会更容易了解本专利技术的目的、
技术实现思路
、特点及其所实现的效果。
【技术保护点】
1.一种具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，包含：
2.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该子导体单元环绕形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元。
3.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该子导体单元不环绕形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元，而是位在形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元外侧，并具有一点状结构。
4.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，每一该主导体单元的表面积大于每一该子导体单元的表面积。
5.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，多个该子导体单元的表面积与该栅极的表面积间的比例，低于一预设天线设计规范比例。
6.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该焊垫接合单元与该桥接焊垫单元形成于位在该主焊垫部与该子焊垫部上的一重分布层中，且该重分布层与最上方的该金属层直接连接。
7.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该主导
8.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该焊垫接合单元与该桥接焊垫单元的材质为铝。
9.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该桥接焊垫单元与该焊垫接合单元是利用电镀工艺步骤形成。
10.一种具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，包含：
11.如权利要求10所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，其中，该子导体单元环绕形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元。
12.如权利要求10所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，其中，该子导体单元不环绕形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元，而是位在形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元外侧，并具有一点状结构。
13.如权利要求10所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，其中，每一该主导体单元的表面积大于每一该子导体单元的表面积。
14.如权利要求10所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，其中，多个该子导体单元的表面积与该栅极的表面积间的比例，低于一预设天线设计规范比例。
15.如权利要求10所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，其中，该焊垫接合单元与该桥接焊垫单元形成于位在该主焊垫部与该子焊垫部上的一重分布层中，且该重分布层与最上方的该金属层直接连接。
16.如权利要求10所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，其中，该主导体单元与该子导体单元的材质为铜或铝。
17.如权利要求10所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，其中，该焊垫接合单元与该桥接焊垫单元的材质为铝。
18.如权利要求10所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方法，其中，该桥接焊垫单元与该焊垫接合单元是利用电镀工艺步骤形成。
...【技术特征摘要】
1.一种具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，包含：
2.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该子导体单元环绕形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元。
3.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该子导体单元不环绕形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元，而是位在形成于同一该金属层中的对应的该主导体单元外侧，并具有一点状结构。
4.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，每一该主导体单元的表面积大于每一该子导体单元的表面积。
5.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，多个该子导体单元的表面积与该栅极的表面积间的比例，低于一预设天线设计规范比例。
6.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该焊垫接合单元与该桥接焊垫单元形成于位在该主焊垫部与该子焊垫部上的一重分布层中，且该重分布层与最上方的该金属层直接连接。
7.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该主导体单元与该子导体单元的材质为铜或铝。
8.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该焊垫接合单元与该桥接焊垫单元的材质为铝。
9.如权利要求1所述的具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件，其中，该桥接焊垫单元与该焊垫接合单元是利用电镀工艺步骤形成。
10.一种具有抵抗电浆伤害的焊垫结构的半导体元件的制造方...
【专利技术属性】
技术研发人员：翁武得，胡永中，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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