【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS的制造方法，所述LDMOS为LDNMOS，该方法包括以下步骤： A、在基底上形成LDNMOS区内用于隔离P型阱和N‑漂移区的STI； B、在LDNMOS区进行离子注入形成P型阱； C、在所述P型阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的N‑漂移区； D、在N‑漂移区之间的基底表面形成栅极结构； E、在N‑漂移区中进行N+掺杂形成源极和漏极； 其特征在于，该方法还包括：在步骤D形成栅极结构之前的任意两个步骤之间，或者在LDPMOS形成过程中，对所述漏极一侧的N‑漂移区进行预定深度的离子注入形成P反型离子漂浮区，所述P反型离子漂浮区位于N‑漂移区中，与STI和漏极具有预定间隔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄晨，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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