半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法。其中，通过去除相邻像素的透射电极和反射电极交界处的第二延伸部，即由此制造的半透半反式液晶显示器阵列基板及液晶显示器不具有该第二延伸部，避免了该第二延伸部对液晶层分子取向的影响，从而防止了半透半反式液晶显示器的漏光，提高了半透半反式液晶显示器的显示效果，提高了开口率。

【技术实现步骤摘要】
半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法本专利技术为专利技术专利申请“半透半反式液晶显示器阵列基板、制造方法及液晶显示屏”的分案申请，申请号：201110155180.7，申请日：2011.06.09。
本专利技术涉及液晶显示器
，特别涉及一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法。
技术介绍
液晶显示器具有低电压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点，在当前的显示器市场占据了主导地位。其已被广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备中。液晶显示器最基本的构件之一是显示屏，所述显示屏包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板，以及充满在阵列基板和彩膜基板之间的间隙内的液晶层。所述显示屏显示图像的基本原理是：通过在所述阵列基板和彩膜基板上施加作用于液晶层上的电场，控制所述液晶层分子的取向，从而控制穿透过液晶层分子的照射光线的多少，即达到调制通过液晶层的光强的目的。由于所述显示屏自身并不发光，因此，其需要外界光源的照射，以达到显示目的。根据所用光源的不同，液晶显示器有透射式和反射式两种模式。透射式液晶显示器通过透射液晶显示器自带的背光源所发出的光线达到显示的目的；反射式液晶显示器通过反射液晶显示器外的光源，通常为自然光源所发出的光线达到显示的目的。透射式液晶显示器需要为其自带的背光源提供电源，因此，相对于反射式液晶显示器，其功耗更大。此外，当透射式液晶显示器在户外使用，且环境光源(例如阳光)非常强时，透射式液晶显示器上的显示图像会被冲刷，从而图像不能被清晰地显示。相反地，当使用反射式液晶显示器显示图像时，则需要很强的环境光源。综合以上两种显示模式，产生了半透半反式液晶显示器，其相对于现有的透射式液晶显示器具有更低的功耗，并且在不同的环境光源的情况下，都具有比较好的显示效果。半透半反式液晶显示器主要通过在阵列基板上形成有能够透射光线的透射区以及能够反射光线的反射区实现透射和反射功能。申请号为CN201110042229.8的中国专利申请公开了一种半透半反式液晶显示器，该半透半反式液晶显示器的阵列基板上每个像素包括反射电极和透射电极，用以反射光线的反射电极形成于一绝缘层上，相邻像素的反射电极和透射电极通过该绝缘层电学绝缘。由此，便可大大减小相邻像素的反射区域与透射电极透射区域在平行于基板的方向上的间隔，甚至使得相邻像素的反射区域和透射区域的间距为0。但是，该半透半反式液晶显示器的阵列基板在形成该绝缘层后，需要进行固化工艺，以形成可靠的绝缘层。在完成固化工艺后，绝缘层边缘会向相邻的透射电极延伸，该延伸部位于该相邻的透射电极上，产生上述情况的原因是：固化工艺中，将相对比较疏松的绝缘层结构变得更加紧密，同时所述绝缘层的材料将不可避免地会发生流动，使得绝缘层位于相邻像素交界处的边缘向该透射区域延伸并形成具有圆弧状侧面的延伸部。该圆弧状侧面会使得其上方的液晶层分子沿其排列，从而将产生一定的漏光；另外，该圆弧状侧面向透射区域延伸，减小了开口率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法以解决现有的半透半反式液晶显示器产生漏光及开口率不高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，所述方法包括：步骤S11、提供一形成有至少两个透射电极的基板；步骤S12、在所述形成有至少两个透射电极的基板上形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层以暴露出所述透射电极；步骤S13、对所述绝缘层实施固化工艺，使得所述绝缘层具有向与其在同一像素内的透射电极延伸的第一延伸部，以及具有向与其在相邻像素的透射电极延伸的第二延伸部；步骤S14、在所述绝缘层表面形成反射电极；步骤S15、刻蚀去除所述第二延伸部。可选的，在所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，在所述绝缘层表面形成反射电极的步骤S14包括：在所述绝缘层和所述暴露出的透射电极表面上形成金属层；在所述金属层上形成光阻层，并图案化所述光阻层；以所述图案化光阻层为掩模刻蚀所述金属层形成反射电极，并暴露所述透射电极和所述第二延伸部。可选的，在所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，步骤S15中刻蚀去除所述第二延伸部以所述图案化光阻层为掩模。可选的，在所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，反射电极覆盖所述第一延伸部并与同一像素内的透射电极相连。可选的，在所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，所述形成有至少两个透射电极的基板还包括作为像素开关的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电连接或者所述薄膜晶体管的源极与所述透射电极电连接。可选的，在所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，所述形成有至少两个透射电极的基板还包括作为像素开关的薄膜晶体管，在步骤S13和S14之间具有刻蚀过孔的步骤，所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的漏极或者所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的源极。本专利技术还提供另一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，所述方法包括：步骤S11、提供一形成有至少两个透射电极的基板；步骤S12、在所述形成有至少两个透射电极的基板上形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层以暴露出所述透射电极；步骤S13、对所述绝缘层实施固化工艺，使得所述绝缘层具有向与其在同一像素内的透射电极延伸的第一延伸部，以及具有向与其在相邻像素的透射电极延伸的第二延伸部，；步骤S14、在所述绝缘层表面形成反射电极；步骤S15、刻蚀去除所述第一延伸部和所述第二延伸部。可选的，在所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，在所述绝缘层表面形成反射电极的步骤S14包括：在所述绝缘层和所述暴露出的透射电极表面上形成金属层；在所述金属层上形成光阻层，并图案化所述光阻层；以所述图案化光阻层为掩模刻蚀所述金属层形成反射电极，并暴露所述透射电极和第一延伸部和所述第二延伸部。可选的，在所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，步骤S15中刻蚀去除第一延伸部和所述第二延伸部以所述图案化光阻层为掩模。可选的，在所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，所述形成有至少两个透射电极的基板还包括作为像素开关的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电连接或所述薄膜晶体管的源极与所述透射电极电连接；在步骤S13和S14之间具有刻蚀过孔的步骤，所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的漏极或所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的源极。可选的，在所述的两种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，该方法还包括去除所述图案化光阻层的步骤。可选的，在所述的两种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，刻蚀去除所述第二延伸部后所述绝缘层在相邻像素的反射电极和透射电极的交界处形成侧面，所述侧面与所述透射电极具有角度为70度-110度的夹角。可选的，在所述的两种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，所述绝缘层的材料为有机膜。可选的，在所述的两种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，所述绝缘层的厚度为2微米-4微米。可选的，在所述的两种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，所述绝缘层的厚度为3微米。可选的，在所述的两种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法中，所述固化工艺为退火工艺或者紫外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，包括：步骤S11、提供一形成有至少两个透射电极的基板；步骤S12、在所述形成有至少两个透射电极的基板上形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层以暴露出所述透射电极；步骤S13、对所述绝缘层实施固化工艺，使得所述绝缘层具有向与其在同一像素内的透射电极延伸的第一延伸部，以及具有向与其在相邻像素的透射电极延伸的第二延伸部；步骤S14、在所述绝缘层表面形成反射电极；步骤S15、刻蚀去除所述第二延伸部。

【技术特征摘要】
1.一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，包括：步骤S11、提供一形成有至少两个透射电极的基板；步骤S12、在所述形成有至少两个透射电极的基板上形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层以暴露出所述透射电极；步骤S13、对所述绝缘层实施固化工艺，使得所述绝缘层具有向与其在同一像素内的透射电极延伸的第一延伸部，以及具有向与其在相邻像素的透射电极延伸的第二延伸部；步骤S14、在所述绝缘层表面形成反射电极；步骤S15、刻蚀去除所述第二延伸部。2.如权利要求1所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述绝缘层表面形成反射电极的步骤S14包括：在所述绝缘层和所述暴露出的透射电极表面上形成金属层；在所述金属层上形成光阻层，并图案化所述光阻层；以所述图案化光阻层为掩模刻蚀所述金属层形成反射电极，并暴露所述透射电极和所述第二延伸部。3.如权利要求2所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S15中刻蚀去除所述第二延伸部以所述图案化光阻层为掩模。4.如权利要求1所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，反射电极覆盖所述第一延伸部并与同一像素内的透射电极相连。5.如权利要求4所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有至少两个透射电极的基板还包括作为像素开关的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电连接或者所述薄膜晶体管的源极与所述透射电极电连接。6.如权利要求4所述的半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有至少两个透射电极的基板还包括作为像素开关的薄膜晶体管，在步骤S13和S14之间具有刻蚀过孔的步骤，所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的漏极或者所述过孔用于导通所述反射电极和所述薄膜晶体管的源极。7.一种半透半反式液晶显示器阵列基板的制造方法，包括：步骤S11、提供一形成有至少两个透射电极的基板；步骤S12、在所述形成有至少两个透射电极的基板上形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层以暴露出所述透射电极；步骤S13、对所述绝缘层实施固化工艺，使得所述绝缘层具有向与其在同一像素内的透射电极延伸的...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍思涛，黄忠守，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31