一种浅色导电晶须的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种浅色导电晶须的制备方法，它是采用硫酸钙晶须作为基体材料，在硫酸钙晶须的表面均匀包覆银膜，从而制得浅色的包覆型银/硫酸钙晶须。本发明专利技术工艺简单，硫酸钙利用率高，周期短，成本低，易于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种浅色导电晶须的制备方法
本专利技术涉及一种导电晶须的制备方法，特别是一种浅色导电晶须的制备方法。
技术介绍
核壳复合浅色导电粉末是近十几年来快速发展的一种多功能导电材料，可部分或全部取代银粉、铜粉等贵金属在导电浆料、导电塑料、电磁屏材料等领域的应用。目前已成功在工业上应用的有导电玻璃纤维、银包铜双金属粉、导电玻璃微珠等等。作为核壳复合浅色导电粉的基体材料主要有玻璃粉、铜粉、二氧化钛粉、云母粉等等。硫酸钙晶须原料来源广泛，成本低，并具有尺寸稳定、强度高、韧性好、高绝缘性、耐磨耗、耐高温等优良的物理化学性能，而广泛应用于橡胶、造纸、沥青、保温材料、耐火隔热材料、红外线反射材料和包覆电线的高绝缘材料等等。但对硫酸钙晶须进行表面镀导电材料的工业应用至今未见相关报道，其主要原因是硫酸钙晶须在水中的溶解度较大，对其进行表面包覆时，造成包覆层不稳定，难以制备得到结构完整的核壳复合材料。
技术实现思路
本专利技术的目的，是提供一种浅色导电晶须的制备方法。本专利技术方法制备的浅色导电晶须具有耐腐蚀、性能稳定、耐高温、抗氧化和导电性能优良等优点，且工艺简单，周期短，成本低，易于工业化生产。本专利技术的技术方案：一种浅色导电晶须的制备方法，它是采用硫酸钙晶须作为基体材料，在硫酸钙晶须的表面均匀包覆银膜，从而制得浅色的包覆型银/硫酸钙晶须；具体包括以下步骤：a、将还原剂和分散剂加入水中，搅拌溶解形成无色透明的溶液，得A品；b、用浓度为1～20wt％的pH调整剂调整A品的pH值，将A品的pH值控制在8.0～12.0之间，制成还原液，得B品；c、用丙酮溶液清洗硫酸钙晶须，得C品；d、用无水乙醇清洗C品，得D品；e、将D品倒入B品中，搅拌，形成硫酸钙晶须悬浮液，得E品；f、将硝酸银溶解在水中，配成浓度为2.0～20.0wt％硝酸银溶液，再向硝酸银溶液中加氨水，边加氨水边搅拌，直到硝酸银溶液中最初产生的沉淀完全溶解为止，配制成银氨溶液，得F品；g、将F品缓慢加入E品中，控制反应体系温度范围为10-60℃，搅拌1-4h,得G品；h、将G品过滤之后，取滤渣用无水乙醇清洗，再经60～100℃干燥，制得镀银硫酸钙晶须，即浅色导电晶须。前述的浅色导电晶须的制备方法中，步骤a中所述的还原剂为葡萄糖、抗坏血酸、甲醛、水合肼或偏磷酸钠中的一种或一种以上。前述的浅色导电晶须的制备方法中，步骤a中所述的分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酰胺、聚乙二醇600、聚乙二醇300、聚乙二醇200、聚乙二醇1000、乙烯基双硬脂酰胺、硬脂酸钙、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷或γ-丙基三甲氧基硅烷中的一种或一种以上。前述的浅色导电晶须的制备方法中，步骤b所述的pH调整剂为酒石酸、酒石酸钠、柠檬酸钠、柠檬酸铵、碳酸氢钠、碳酸钠、碳酸氢铵、碳酸铵、氢氧化钠或氨水中的一种或一种以上。前述的浅色导电晶须的制备方法中，所述A品中还原剂的浓度为2-20wt％；前述的浅色导电晶须的制备方法中，所述A品中分散剂的浓度为0.05-5wt％；前述的浅色导电晶须的制备方法中，所述E品中硫酸钙晶须的含量为0.5～15wt％。与现有技术比较，本专利技术在廉价的硫酸钙晶须表面包覆银膜，制备成具有耐腐蚀、性能稳定、耐高温、抗氧化和导电性能优良等优点的导电晶须，制备工艺简单，周期短。该方法通过表面镀银把硫酸钙晶须改性为多功能导电晶须，将硫酸钙晶须优越的物理化学性能和银的高电导率揉合起来,大大拓展硫酸钙晶须的应用领域，本专利技术方法制备的导电晶须，其电阻率较低，即当银含量为23wt％-30wt％时，体积电阻率为0.001Ω·cm-0.002Ω·cm。另外，本专利技术用无水乙醇和丙酮清洗硫酸钙晶须，相对于用二氯化钯/盐酸和二氯化锡/盐酸的水溶液清洗，所用无水乙醇和丙酮成本低且可重复利用，可节约40％-45％的成本，且用二氯化钯/盐酸和二氯化锡/盐酸的水溶液清洗时，盐酸易挥发，挥发的氯化氢气体有毒，污染工作环境，硫酸钙晶须还易溶于盐酸，使硫酸钙晶须的利用率比较低，而用无水乙醇和丙酮清洗硫酸钙晶须，不但可节约成本和优化工作环境，还可以提高硫酸钙晶须的利用率。另外，本专利技术采用无水乙醇和丙酮将硫酸钙晶须洗净，然后直接镀银，取代了传统处理工艺(传统处理工艺为粗化处理，活化处理，敏化处理)，从而简化了工艺流程，缩短了工艺周期，使工艺简单，周期短。总之，本专利技术方法工艺简单，周期短，成本低，易于工业化生产，硫酸钙的利用率高，且根据本专利技术制备的浅色导电晶须具有耐腐蚀、性能稳定、耐高温、抗氧化和导电性能优良等优点。具体实施方式实施例1。一种浅色导电晶须的制备方法，它是采用硫酸钙晶须作为基体材料，在硫酸钙晶须的表面均匀包覆银膜，从而制得浅色的包覆型银/硫酸钙晶须；包括以下步骤：a、将还原剂和分散剂加入水中，搅拌溶解形成无色透明的溶液，得A品，b、用浓度为10wt％的pH调整剂调整A品的pH值，将A品的pH值调整为10，制成还原液，得B品；c、用丙酮溶液清洗硫酸钙晶须，得C品；d、用无水乙醇清洗C品，得D品；e、将D品倒入B品中，搅拌，形成硫酸钙晶须悬浮液，得E品；f、将硝酸银溶解在水中，配成浓度10.0wt％硝酸银溶液，再向硝酸银溶液中加氨水，边加氨水边搅拌，直到硝酸银溶液中最初产生的沉淀完全溶解为止，配制成银氨溶液，得F品；g、将F品缓慢加入E品中，控制反应体系温度为35℃，搅拌2h,得G品；h、将G品过滤之后，取滤渣用无水乙醇清洗，再经80℃干燥，制得镀银硫酸钙晶须，即浅色导电晶须。本实施例中，所述A品含量为10wt％还原剂，2.5wt％分散剂，E品中硫酸钙晶须的含量为8wt％，步骤a所述的还原剂为葡萄糖，步骤b中所述的分散剂为聚乙烯吡咯烷酮，pH调整剂为酒石酸。实施例2。一种浅色导电晶须的制备方法，它是采用硫酸钙晶须作为基体材料，在硫酸钙晶须的表面均匀包覆银膜，从而制得浅色的包覆型银/硫酸钙晶须；包括以下步骤：a、将还原剂和分散剂加入水中，搅拌溶解形成无色透明的溶液，得A品；b、用浓度为20wt％的pH调整剂调整A品的pH值，将A品的pH值调整为12，制成还原液，得B品；c、用丙酮溶液清洗硫酸钙晶须，得C品；d、用无水乙醇清洗C品，得D品；e、将D品倒入B品中，搅拌，形成硫酸钙晶须悬浮液，得E品；f、将硝酸银溶解在水中，配成浓度为20.0wt％硝酸银溶液，再向硝酸银溶液中加氨水，边加氨水边搅拌，直到硝酸银溶液中最初产生的沉淀完全溶解为止，配制成银氨溶液，得F品；g、将F品缓慢加入E品中，控制反应体系温度范围为60℃，搅拌4h,得G品；h、将G品过滤之后，取滤渣用无水乙醇清洗，再经100℃干燥，制得镀银硫酸钙晶须，即浅色导电晶须。本实施例中，所述A品含量为20wt％还原剂，5wt％分散剂，E品中硫酸钙晶须的含量为15wt％，步骤a所述的还原剂为抗坏血酸，步骤b中所述的分散剂为聚丙烯酰胺，pH调整剂为柠檬酸钠。实施例3.一种浅色导电晶须的制备方法，它是采用硫酸钙晶须作为基体材料，在硫酸钙晶须的表面均匀包覆银膜，从而制得浅色的包覆型银/硫酸钙晶须；包括以下步骤：a、将还原剂和分散剂加入水中，搅拌溶解形成无色透明的溶液，得A品；b、用浓度为1wt％的pH调整剂调整A品的pH值，将A品的pH值调整为8，制成还原液，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅色导电晶须的制备方法，其特征在于：它是采用硫酸钙晶须作为基体材料，在硫酸钙晶须的表面均匀包覆银膜，从而制得浅色的包覆型银/硫酸钙晶须；具体包括以下步骤：a、将还原剂和分散剂加入水中，搅拌溶解形成无色透明的溶液，得A品；b、用浓度为1～20wt％的pH调整剂调整A品的pH值，将A品的pH值控制在8.0～12.0之间，制成还原液，得B品；c、用丙酮溶液清洗硫酸钙晶须，得C品；d、用无水乙醇清洗C品，得D品；e、将D品倒入B品中，搅拌，形成硫酸钙晶须悬浮液，得E品；f、将硝酸银溶解在水中，配成浓度为2.0～20.0wt％硝酸银溶液，再向硝酸银溶液中加氨水，边加氨水边搅拌，直到硝酸银溶液中最初产生的沉淀完全溶解为止，配制成银氨溶液，得F品；g、将F品缓慢加入E品中，控制反应体系温度范围为10‑60℃，搅拌1‑4h,得G品；h、将G品过滤之后，取滤渣用无水乙醇清洗，再经60～100℃干燥，制得镀银硫酸钙晶须，即浅色导电晶须。

【技术特征摘要】
1.一种浅色导电晶须的制备方法，其特征在于：它是采用硫酸钙晶须作为基体材料，在硫酸钙晶须的表面均匀包覆银膜，从而制得浅色的包覆型银/硫酸钙晶须；具体包括以下步骤：a、将还原剂和分散剂加入水中，搅拌溶解形成无色透明的溶液，得A品；b、用浓度为1～20wt%的pH调整剂调整A品的pH值，将A品的pH值控制在8.0～12.0之间，制成还原液，得B品；c、用丙酮溶液清洗硫酸钙晶须，得C品；d、用无水乙醇清洗C品，得D品；e、将D品倒入B品中，搅拌，形成硫酸钙晶须悬浮液，得E品；f、将硝酸银溶解在水中，配成浓度为2.0～20.0wt%硝酸银溶液，再向硝酸银溶液中加氨水，边加氨水边搅拌，直到硝酸银溶液中最初产生的沉淀完全溶解为止，配制成银氨溶液，得F品；g、将F品缓慢加入E品中，控制反应体系温度范围为10-60℃，搅拌1-4h,得G品；h、将G品过滤之后，取滤渣用无水乙醇清洗，再经60～100℃干燥...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振杰，聂登攀，薛安，刘安荣，吴素彬，朱明燕，王在谦，
申请(专利权)人：贵州省冶金化工研究所，
类型：发明
国别省市：贵州;52