一种高压PMOS器件及其制作工艺流程制造技术

公开了一种高压PMOS器件和工艺制作流程，所述高压PMOS器件包括P型衬底、N型埋层、外延层、场氧、低压P阱、N阱、厚栅氧、薄栅氧、多晶硅栅、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、以及第二P型重掺杂区，其中，所述N阱和所述低压P阱的间矩为0.5μm～1μm。所述高压PMOS器件减少了工艺制作的掩膜，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高压PMOS器件，包括：P型衬底；位于P型衬底上的N型埋层；位于N型埋层上的外延层；位于外延层上的场氧；位于外延层内的低压P阱；位于外延层内的N阱；位于低压P阱和场氧上的厚栅氧；位于N阱、低压P阱和外延层上的薄栅氧；位于薄栅氧和厚栅氧上的多晶硅栅；位于N阱内的N型重掺杂区，用作体接触区；位于低压P阱内的第一P型重掺杂区，所述第一P型重掺杂区与场氧毗邻；以及位于N阱内的第二P型重掺杂区，所述第二P型重掺杂区与多晶硅栅毗邻，并且与N型重掺杂区电连接；其中，所述N阱和所述低压P阱的间矩为0.5μm～1μm。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉扬永，连延杰，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51