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一种高压PMOS器件及其制作工艺流程制造技术
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文档序号:11326857
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公开了一种高压PMOS器件和工艺制作流程,所述高压PMOS器件包括P型衬底、N型埋层、外延层、场氧、低压P阱、N阱、厚栅氧、薄栅氧、多晶硅栅、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、以及第二P型重掺杂区,其中,所述N阱和所述低压P阱的间矩为0.5μ...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。
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