【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来,随着电子设备小型化的要求,半导体元件的表面高密度搭载需要进一步改善。因此,近年来采用多段地层叠有多个半导体元件的所谓堆叠封装型的半导体装置。对于这种堆叠封装型的半导体装置而言,由于将半导体元件集聚地进行配置,因此会发生因外界噪音所导致的问题(电磁波障碍)。这种噪音问题越是在电子设备的数字化、高速化、高频率化时,变得越显著。因此,为了抑制因噪音所导致的影响,将屏蔽电磁波的电磁波屏蔽片材形成在将半导体元件密封的密封材料上(例如参照专利文献I)。关于上述电磁波屏蔽片材的形成,例如已知专利文献2所记载的。专利文献2所记载的在通过使用了上模具和下模具的传递模塑成型、用密封材料将半导体元件密封的工序中,在配置于上模具的离型膜(载体膜)上涂布电磁波屏蔽树脂、形成密封材料时,将电磁波屏蔽树脂转印至密封材料上并使其固化。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4133637号公报专利文献2:日本特开2007 - 287937号公报
技术实现思路
专利技术欲解决的技术问题但是,上述专利文献2所记载的方法在形成密封材料时,由于每次都需要在 ...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,其通过使用了具有上模具和下模具的压塑模具的压塑成型方式来制造半导体装置,所述制造方法包含使密封材料固化的工序,在该工序中,施予将半导体元件密封的密封材料,在与所述半导体元件对置的模具上设置离型膜,并利用所述上模具和所述下模具使所述密封材料固化,在所述离型膜的与所述密封材料接触的一侧,预先设置用于将电磁波屏蔽的屏蔽材料,在使所述密封材料固化的工序中,将所述屏蔽材料转印到所述密封材料上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:川守崇司,铃木直也,
申请(专利权)人:日立化成株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。