封装层覆盖半导体元件以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

封装层覆盖半导体元件的制造方法具有以下工序：配置工序，将半导体元件配置于支撑台上；封装工序，利用具有剥离层、层叠于剥离层下方且由热固性树脂形成的完全固化前的封装层的封装片中的封装层将半导体元件埋设而进行封装；以及加热工序，在封装工序之后，对封装层进行加热使其固化。加热工序具有：第1加热工序，边将封装片朝向支撑台进行机械加压边在第1温度下进行加热；以及第2加热工序，在前述第1加热工序之后，在高于前述第1温度的第2温度下对封装片进行加热。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及封装层覆盖半导体元件以及半导体装置的制造方法，详细而言，涉及封装层覆盖半导体元件的制造方法、以及使用通过该方法得到的封装层覆盖半导体元件的半导体装置的制造方法。
技术介绍
迄今，已知有：利用树脂对发光二极管等半导体元件进行封装。例如提出了以下方法：在要安装发光二极管的基板上，设置具有基材片、和层叠于基材片下方的有机硅树脂层的封装用片，接着，利用有机硅树脂层将发光二极管埋设而进行封装。之后，将封装用片在120～250℃下进行加热，使有机硅树脂层(封装层)固化，接着，从封装层剥离基材片，从而制造光半导体装置的方法(例如，参见下述专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-095809号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献1所记载的方法中，存在加热中封装层发生变形的不良情况。此外，在加热中，基材片也发生变形，因此存在伴随这种基材片的变形，封装层进一步发生变形的不良情况。本专利技术的目的在于提供可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装层覆盖半导体元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：配置工序，将半导体元件配置于支撑台上；封装工序，利用具有剥离层、层叠于所述剥离层下方且由热固性树脂形成的完全固化前的封装层的封装片中的所述封装层将所述半导体元件埋设而进行封装；以及加热工序，在所述封装工序之后，对所述封装层进行加热使其固化，其中，所述加热工序具有：第1加热工序，边将所述封装片朝向所述支撑台进行机械加压边在第1温度下进行加热；以及第2加热工序，在所述第1加热工序之后，在高于所述第1温度的第2温度下对所述封装片进行加热。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.17 JP 2012-1589451.一种封装层覆盖半导体元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
配置工序，将半导体元件配置于支撑台上；
封装工序，利用具有剥离层、层叠于所述剥离层下方且由热固性树脂形
成的完全固化前的封装层的封装片中的所述封装层将所述半导体元件埋设
而进行封装；以及
加热工序，在所述封装工序之后，对所述封装层进行加热使其固化，
其中，所述加热工序具有：
第1加热工序，边将所述封装片朝向所述支撑台进行机械加压边在第1温
度下进行加热；以及
第2加热工序，在所述第1加热工序之后，在高于所述第1温度的第2温度
下对所述封装片进行加热。
2.根据权利要求1所述的封装层覆盖半导体元件的制造方法，其特征在
于，所述第1加热工序之后的所述封装层在23℃下的压缩弹性模量为1.20MPa
以上。
3.根据权利要求1所述的封装层覆盖半导体元件的制造方法，其特征在
于，所述封装工序中的所述封装层为两阶段热固性树脂组合物的B阶段。
4.根据权利要求1所述的封装层覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：三谷宗久，江部悠纪，大薮恭也，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP