半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其能够低廉地进行制造且是降低了反馈电容的沟槽栅型。具有：半导体基板，其是层叠第1半导体区、第2半导体区、第3半导体区、以及第4半导体区而成的；绝缘膜，其配置在槽的内壁上，该槽从第4半导体区的上表面延伸，贯通第4半导体区以及第3半导体区而达到第2半导体区；控制电极，其在槽的侧面，与第3半导体区的侧面相对地配置在绝缘膜上；第1主电极，其与第1半导体区电连接；第2主电极，其与第3半导体区以及第4半导体区电连接；底面电极，其在槽的底面中与控制电极分离地配置在绝缘膜上，与第2主电极电连接，其中，在俯视时，槽的延伸方向的长度为槽的宽度以上，且，槽的宽度大于相邻的槽彼此之间的间隔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及进行开关动作的沟槽栅型的半导体装置的结构。
技术介绍
功率MOSFET或绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor：IGBT)等已作为进行大电流的开关动作的开关元件(功率半导体元件)来使用。在这样的开关元件中，使用了沟槽栅型的开关元件，其在形成于半导体基板上的槽(沟槽)中形成有绝缘膜以及栅电极。IGBT中的槽的宽度通常设定为1μm以下的程度(例如，参照专利文献1)。图6是示出这样的沟槽栅型的半导体装置110的结构的一例的剖视图。在图6中，在半导体基板180上，在作为漏极层的n+层181上，依次形成有n-层182、p-层183。在半导体基板180的表面侧，形成有贯通p-层183的槽185。槽185沿与图6中的纸面垂直方向延伸，且平行地形成有多个(在图示的范围内为4个)。在各个槽185的内面上均匀地形成有氧化膜186，且以嵌入到槽185中的方式形成有栅电极187。此外，在半导体基板180的表面侧，在槽185的两侧形成有作为源区的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区；第2导电型的第2半导体区，其配置在所述第1半导体区之上；第1导电型的第3半导体区，其配置在所述第2半导体区之上；多个第2导电型的第4半导体区，它们配置在所述第3半导体区之上；绝缘膜，其分别配置在槽的内壁上，该槽从所述第4半导体区的上表面延伸，贯通所述第4半导体区以及所述第3半导体区，到达所述第2半导体区；控制电极，其在所述槽的侧面中被配置在所述绝缘膜的与所述第3半导体区的侧面相对的区域上；第1主电极，其与所述第1半导体区电连接；第2主电极，其与所述第4半导体区电连接；以及底面电极，其在所述槽的底面上与所述控制电极分离地配置...

【技术特征摘要】
2013.09.20 JP 2013-194834;2014.07.18 JP 2014-148351.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：
第1导电型的第1半导体区；
第2导电型的第2半导体区，其配置在所述第1半导体区之上；
第1导电型的第3半导体区，其配置在所述第2半导体区之上；
多个第2导电型的第4半导体区，它们配置在所述第3半导体区之上；
绝缘膜，其分别配置在槽的内壁上，该槽从所述第4半导体区的上表面延伸，贯
通所述第4半导体区以及所述第3半导体区，到达所述第2半导体区；
控制电极，其在所述槽的侧面中被配置在所述绝缘膜的与所述第3半导体区的侧
面相对的区域上；
第1主电极，其与所述第1半导体区电连接；
第2主电极，其与所述第4半导体区电连接；以及
底面电极，其在所述槽的底面上与所述控制电极分离地配置在所述绝缘膜之上，
并与所述第2主电极电连接，
在俯视时，所述槽的延伸方向的长度为所述槽的宽度以上，且所述槽的宽度大于
相邻的所述槽彼此之间的间隔。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述底面电极的与所述槽的底面相对的宽度大于所述控制电极的与所述槽的底
面相对的宽度。
3.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：
第1导电型的第1半导体区；
第2导电型的第2半导体区，其配置在所述第1半导体区之上；
第1导电型的第3半导体区，其配置在所述第2半导体区之上；
多个第2导电型的第4半导体区，它们配置在所述第3半导体区之上；
绝缘膜，其分别配置在槽的内壁上，该槽从所述第4半导体区的上表面延伸，贯
通所述第4半导体区以及所述第3半导体区，到达所述第2半导体区；
控制电极，其在所述槽的侧面中被配置在所述绝缘膜的与所述第3半导体区的侧
面相对的区域上，
底面电极，其在所述槽的底面中与所述控制电极分离地配置在所述绝缘膜之上；
第1主电极，其与所述第1半导体区电连接；
层间绝缘膜，其配置在所述控制电极以及所述底面电极之上；以及
第2主电极，其在所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：川尻智司，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP