半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置，其在外周区域内具有用于提高耐压的构造、而且能够抑制形成在元件区域内的半导体元件的损坏。半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区域，其配置在元件区域和外周区域；多个第2导电型的第2半导体区域，它们相互隔开间隔地呈点状配置在元件区域的第1半导体区域的上表面，内径是0.5μm～20μm；第2导电型的第3半导体区域，其围着元件区域而配置在外周区域的第1半导体区域的上表面；以及第1电极，其与第2半导体区域和第3半导体区域的上表面接触地配置在第1半导体区域上，与第2半导体区域形成肖特基结。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在外周区域内形成有用于提高耐压的构造的半导体装置。
技术介绍
为了提高具有肖特基势垒二极管(SBD)等半导体元件的半导体装置的耐压，采用了各种技术。例如，通过在围着配置有SBD的元件区域的外周区域内分散配置p+区域或者呈条纹状地配置p+区域，实现了电场缓和(例如，参照专利文献1)。【专利文献1】日本特开2000－312011号公报然而，虽然在外周区域内形成用于提高耐压的构造可以提高耐压，但另一方面，存在的问题是，在击穿后雪崩电流会集中到外周区域。雪崩电流集中到外周区域会导致半导体装置的温度局部上升，从而损坏半导体元件。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种在外周区域内具有用于提高耐压的构造、而且能够抑制形成在元件区域内的半导体元件的损坏的半导体装置。根据本专利技术的一个方式，提供一种半导体装置，其具有配置有半导体元件的元件区域和配置在元件区域的周围的外周区域，其中，半导体装置具有：(a)第1导电型的第1半导体区域，其配置在元件区域和外周区域；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具有配置有半导体元件的元件区域和配置在所述元件区域的周围的外周区域，所述半导体装置的特征在于，具有：第1导电型的第1半导体区域，其配置在所述元件区域和所述外周区域；多个第2导电型的第2半导体区域，它们相互隔开间隔地呈点状配置在所述元件区域的所述第1半导体区域的上表面，所述第2半导体区域的内径是0.5μm～20μm；第2导电型的第3半导体区域，其围着所述元件区域而配置在所述外周区域的所述第1半导体区域的上表面；以及第1电极，其与所述第2半导体区域和所述第3半导体区域的上表面接触地配置在所述第1半导体区域上，与所述第2半导体区域形成肖特基结。

【技术特征摘要】
2013.09.24 JP 2013-1969101.一种半导体装置，其具有配置有半导体元件的元件区域和配置在所述元件区
域的周围的外周区域，所述半导体装置的特征在于，具有：
第1导电型的第1半导体区域，其配置在所述元件区域和所述外周区域；
多个第2导电型的第2半导体区域，它们相互隔开间隔地呈点状配置在所述元件
区域的所述第1半导体区域的上表面，所述第2半导体区域的内径是0.5μm～20μm；
第...

【专利技术属性】
技术研发人员：花冈正行，近头孝至，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP