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本发明提供半导体装置，其在外周区域内具有用于提高耐压的构造、而且能够抑制形成在元件区域内的半导体元件的损坏。半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区域，其配置在元件区域和外周区域；多个第2导电型的第2半导体区域，它们相互隔开间隔地呈点状配置...
该专利属于三垦电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社授权不得商用。

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