【技术实现步骤摘要】
本技术涉及二极管
，尤其涉及一种类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管。
技术介绍
太赫兹（THz）波是指频率在 0.3-3THz范围内的电磁波，广义的太赫兹波频率范围是100GHz-10THz，其中 1THz=1000GHz。THz波在电磁波频谱中占有很特殊的位置，THz技术是国际科技界公认的一个非常重要的交叉前沿领域。在THz频率低端范围内，通常采用半导体器件倍频方法获得固态源。该方法是将毫米波通过非线性半导体器件倍频至THz频段，具有结构紧凑、易于调节、寿命长，波形可控，常温工作等优点。目前短波长亚毫米波、THz固态源主要依靠倍频的方式获得。利用肖特基二极管器件实现高效倍频不仅电路结构简单、倍频效率较高，还兼有振荡源具有的较高输出功率、倍频放大链高频率稳定度、低相位噪声的优点；同时肖特基二极管器件可稳定工作于30GHz-3000GHz整个毫米波及亚毫米波频段。目前先进的变容二极管（RAL和VDI等研究机构生产）已经可以工作于3.1THz，具有良好的连续波功率和效率。因此肖特基二极管高效倍频技术非常适于高性能的毫米波、亚...
【技术保护点】
一种类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管，其特征在于：所述二级管包括位于衬底（1）上的第一金属电极组件（2）、第二金属电极组件（3）、第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5），所述第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5）位于第一金属电极组件（2）和第二金属电极组件（3）之间，所述第一金属电极组件（2）和第二金属电极组件（3）从下到上为第一重掺杂GaAs层（6）、第一低掺杂GaAs（7）、第一二氧化硅层（8）和第一金属电极层（9），所述第一金属电极层（9）内嵌于所述第一重掺杂GaAs层（6）、第一低掺杂GaAs层（7）和第一二氧化硅层（8），且第一金属电极层（9）上表面...
【技术特征摘要】
1.一种类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管，其特征在于：所述二级管包括位于衬底（1）上的第一金属电极组件（2）、第二金属电极组件（3）、第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5），所述第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5）位于第一金属电极组件（2）和第二金属电极组件（3）之间，所述第一金属电极组件（2）和第二金属电极组件（3）从下到上为第一重掺杂GaAs层（6）、第一低掺杂GaAs（7）、第一二氧化硅层（8）和第一金属电极层（9），所述第一金属电极层（9）内嵌于所述第一重掺杂GaAs层（6）、第一低掺杂GaAs层（7）和第一二氧化硅层（8），且第一金属电极层（9）上表面的高度大于第一二氧化硅层（8）上表面的高度，第一肖特基接触金属层（10）内嵌于所述第一二氧化硅层（8），且第一肖特基接触金属层（10）与第一低掺杂GaAs层（7）相接触；所述第一二极管组件（4）和第二二极管组件（5）从下到上为第二重掺杂GaAs层（11）、第二低掺杂GaAs（12）、第二二氧化硅层（13）和第二金属电极层（14），所述第二金属电极层（14）内嵌于所述第二重掺杂GaAs层（11）、第二低掺杂GaAs层（12）和第二二氧化硅层（13），且第二金属电极层（14）上表面的高度大于第二二氧化硅层（13）上表面的高度，第二肖特基接触金属层（15）内嵌于所述第二二氧化硅层（13），且第二肖特基接触金属层（15）与第二低掺杂GaAs层（12）相接触；
所述第一金属电极组件（2）上的第一金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：王俊龙，邢东，梁士雄，张立森，杨大宝，赵向阳，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：河北;13
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