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本实用新型公开了一种类混频GaAs太赫兹肖特基三倍频二极管，第一金属电极组件上的第一金属电极层通过金属空气桥与第一二极管组件上的第二肖特基接触金属层连接，第一二极管组件上的第二金属电极层与第二金属电极组件上的第一肖特基接触金属层通过金属空气...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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