【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆裂片技术,特别涉及一种晶圆裂片装置。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构,通常将具有电路元件结构的面称为正面,与之相对的面即称为背面。在晶圆加工过程中,为了各种用途常需要将晶圆粘附在一晶圆承载框。如图1和2所示,晶圆承载框包括绷膜框01和薄膜02,薄膜02粘附在绷膜框01上。薄膜02具有一定的张力,晶圆03粘附在薄膜02上。对整块晶圆03进行切割时,一般采用激光切割代替机械刀具切割,因为机械刀具切割晶圆的刀痕宽,激光切割的刀痕窄,激光切割可提高晶圆的利用率。机械刀具切割晶圆时还会产生碎屑,而激光切割不会产生碎屑,可提高切割品质。但激光切割的切割深度越深,对激光发射器的损耗越大,所以在采用激光切割晶圆时,一般不切透晶圆,形成纵向裂痕041和横向裂痕042,将晶圆03切割为多个块状晶圆031。再利用裂片装置使各块状晶圆031相互分离。因为激光切割晶圆时并未将晶圆完全切透,所以需要增加对晶圆进行裂片的操作,使晶圆03在纵向划痕041或横向裂痕042处断裂,分离成多个块状晶圆031。现有的裂片操作通常采用裂片机完成。如图3所示,裂片机包括用于夹持绷膜框01的基座05、用于劈裂晶圆的劈刀06。具体地,采用裂片机对晶圆03进行裂片时,利用劈刀06对准晶圆03的纵向裂痕041和横向裂痕042施加冲击,使晶圆03裂开。本专利技术 ...
【技术保护点】
晶圆裂片装置,其特征在于,包括支撑台和抽真空装置;所述支撑台开设有多个第一凹槽;所述第一凹槽与抽真空装置连通;所述抽真空装置用于将所述第一凹槽内抽真空。
【技术特征摘要】
1.晶圆裂片装置,其特征在于,包括支撑台和抽真空装置;所述支撑台开设有多个第一凹
槽;所述第一凹槽与抽真空装置连通;所述抽真空装置用于将所述第一凹槽内抽真空。
2.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置,其特征在于,所述支撑台还开设有多个第二凹槽;
每个所述第二凹槽设置在一个所述第一凹槽一侧;所述第二凹槽与抽真空装置连通。
3.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置,其特征在于,还包括第一驱动装置,所述支撑台
可水平移动地设置;所述第一驱动装置驱动所述支撑台或通过第一传动装置驱动所述支
撑台水平往复移动。
4.根据权利要求3所述的晶圆裂片装置,其特征在于,还包括第一底座;所述第一传动装
置为丝杠螺母;所述丝杠螺母包括螺纹配合的第一丝杆和螺母;所述第一丝杆可转动地
安装在所述第一底座上;所述第一驱动装置驱动所述第一丝杆转动;所述螺母与所述支
撑台连接。
5.根据权利要求2、3或4所述的晶圆裂片装置,其特征在于,还包括第一导向装置;所述
第一导向装置包括相配合的导轨和滑块;所述滑块可沿所述导轨滑动地设置在所述到导
轨上;所述导轨和所述滑块其中之一与所述支撑台连接,另一个固定安装。
6.根据权利要求3所述的晶圆裂片装置,其特征在于,还包括第一位置检测装置和控制主
机,所述第一位置检测装置用于检测支撑台的位置,并向所述控制主机发送信号;所述
控制主机控制所述第一驱动装置工作,并根据所述第一位置检测装置的信号决定第一驱
动装置启动和停止。
7.根据权利要求6所述的晶圆裂片装置,其特征在于,所述第一位置检测装置包括第一接
近开关和第一凸片;所述第一凸片与所述支撑台同步移动;所述第一接近开关位于所述
第一凸片的行进路线上;所述第一接近开关根据所述第一凸片是否位于所述第一接近开
关的检测范围内,向所述控制主机发出不同的信号;所述控制主机根据所述第一接近开
关的信号不同,决定所述第一驱动装置的工作。
8.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置,其特征在于,还包括第二驱动装置;所述支撑台
可转动地设置;所述第二驱动装置驱动所述支撑台转动或通过第二传动装置驱动所述支
撑台转动。
9.根据权利要求8所述的晶圆裂片装置,其特征在于,还包括第一底座;所述支撑台安装
于所述第一底座上;所述第一底座上安装有转轴;所述第二驱动装置驱动转轴转动或通
过所述第二传动装置驱动所述转动转动以驱动所述第一底座和支撑台转动。
10.根据权利要求9所述的晶圆裂片装置,其特征在于,还包括第二位置检测装置和控制主
机,所述第二位置检测装置用于检测所述支撑台的转动角度,并向所述控制主机发送信
号;所述控...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙耀,
申请(专利权)人:上海技美电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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