一种薄膜晶体管结构、其制作方法及相关装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管结构、其制作方法及相关装置，其中薄膜晶体管结构包括：衬底基板，在衬底基板上层叠设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极，由于薄膜晶体管结构采用第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管层叠设置且共用一个栅极的新型结构，可以缩小多个薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积，同时可以降低功耗，进一步提高显示面板的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤指一种薄膜晶体管结构、其制作方法及相关装置。
技术介绍
显示面板中的薄膜晶体管是关键器件，但是薄膜晶体管所在区域不透光，当显示面板中有多个薄膜晶体管时，多个薄膜晶体管在整个显示面板中所占区域的面积大小会对显示面板的显示有一定的影响。例如，越来越多的显示面板都利用栅线集成驱动(Gate Driver on Array，简称GOA)技术，将栅极开关电路集成在显示面板中的薄膜晶体管结构上以形成对显示面板的扫描驱动，从而可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本，这种集成在薄膜晶体管结构上的栅极开关电路称作栅线集成驱动电路，在栅线集成驱动电路中通常形成多个薄膜晶体管，会造成栅线集成驱动电路在整个显示面板中所占区域的面积较大，造成显示面板的边框较宽，不利于窄边框设计。因此，如何保证在多个薄膜晶体管器件正常工作的前提下，减小薄膜晶体管在整个显示面板中所占区域的面积，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管结构、其制作方法及相关装置，可以缩小薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积。因此，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管结构，包括：衬底基板，在所述衬底基板上层叠设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一个栅极。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构中，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管同时为P型晶体管或N型晶体管；或，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别为P型晶体管和N型晶体管。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构中，所述第一薄膜晶体管的源漏极和所述第二薄膜晶体管的源漏极在所述衬底基板上的正投影相互重叠。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构中，所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影相互重叠。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构中，所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的材料分别为非晶硅、多晶硅、或半导体氧化物。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构中，还包括：设置在所述衬底基板和所述第一薄膜晶体管之间的保护层。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括本专利技术实施例上述的薄膜晶体管结构。本专利技术实施例还提供了一种电路结构，包括本专利技术实施例上述的薄膜晶体管结构。上述所说的电路结构包括栅线集成驱动电路或有机电致发光显示器件的像素电路。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板或电路结构。本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构的制作方法，包括：在衬底基板上形成包括源漏极、有源层和栅极的第一薄膜晶体管的图形；在所述形成有栅极的衬底基板上形成包括有源层和源漏极的第二薄膜晶体管的图形。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构的制作方法中，采用同一掩膜板形成所述第一薄膜晶体管中源漏极的图形和所述第二薄膜晶体管中源漏极的图形。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构的制作方法中，采用同一掩膜板形成所述第一薄膜晶体管中有源层的图形和所述第二薄膜晶体管中有源层的图形。本专利技术实施例的有益效果包括：本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管结构、其制作方法及相关装置，其中薄膜晶体管结构包括：衬底基板，在衬底基板上层叠设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极，由于薄膜晶体管结构采用第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管层叠设置且共用一个栅极的新型结构，可以缩小多个薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积，同时可以降低功耗，进一步提高显示面板的性能。附图说明图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管结构的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管结构的制作方法流程图；图3为本专利技术实施例提供的具体实例中的薄膜晶体管结构的制作方法流程图；图4a至图4i分别为本专利技术实施例提供的具体实例中的薄膜晶体管结构的制作方法在各步骤执行后的结构示意图。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术实施例提供的薄膜晶体管结构、其制作方法及相关装置的具体实施方式进行详细地说明。其中，附图中各膜层的厚度和形状不反映薄膜晶体管结构的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管结构，如图1所示，包括：衬底基板100，在衬底基板100上层叠设置的第一薄膜晶体管200和第二薄膜晶体管300；该第一薄膜晶体管200和该第二薄膜晶体管300共用一个栅极201。由于薄膜晶体管结构采用第一薄膜晶体管200和第二薄膜晶体管300层叠设置且共用一个栅极201的新型结构，可以缩小多个薄膜晶体管结构在整个显示面板中所占区域的面积，同时可以降低功耗，进一步提高显示面板的性能。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构中，为了能够使层叠设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管能够共用一个栅极，如图1所示，该第一薄膜晶体管200一般设置为顶栅型薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管300一般设置为底栅型薄膜晶体管，可以保证多个薄膜晶体管结构在正常工作的前提下，减小薄膜晶体管结构在显示面板中所占区域的面积。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构中，第一薄膜晶体管200和第二薄膜晶体管300可以同时设置为P型晶体管或N型晶体管；或者是另一种实现方式，第一薄膜晶体管200和第二薄膜晶体管300可以分别设置为P型晶体管和N型晶体管，即第一薄膜晶体管200和第二薄膜晶体管300的掺杂性能可以相同也可以不同，在具体实施时，可以根据实际需要，来设计第一薄膜晶体管200和第二薄膜晶体管300的导通性能。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管结构中，如图1所示，第一薄膜晶体管200的源漏极202和第二薄膜晶体管300的源漏极301在衬底基板100上的正投影可以是相互重叠的，即第一薄膜晶体管200的源漏极202本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：衬底基板，在所述衬底基板上层叠设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一个栅极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包括：衬底基板，在所述衬底基
板上层叠设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一个栅极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一薄膜晶
体管为顶栅型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一薄膜晶
体管和所述第二薄膜晶体管同时为P型晶体管或N型晶体管；或，
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别为P型晶体管和N型晶体
管。
4.如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第
一薄膜晶体管的源漏极和所述第二薄膜晶体管的源漏极在所述衬底基板上的
正投影相互重叠。
5.如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第
一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的
正投影相互重叠。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述第一薄膜晶
体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的材料分别为非晶硅、多晶硅、
或半导体氧化物。
7.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杨，龙跃，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11