薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管包括基板、源极、漏极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、栅极和第三绝缘层。源极、漏极和第一绝缘层设置在基板上，第一绝缘层位于源极和漏极之间，且源极、漏极和第一绝缘层构成同一平面；有源层设置在源极、漏极和第一绝缘层构成的同一平面上，源极、漏极与有源层直接接触；第二绝缘层覆盖有源层，栅极设置在第二绝缘层上，第三绝缘层设置在栅极上。有源层设置在源极、漏极和第一绝缘层构成的同一平面上，增加了有源层与源极和漏极的接触面积，减小了有源层与源极、漏极之间的接触电阻，保证了TFT的性能。上述薄膜晶体管的制造方法，步骤简单，降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及。
技术介绍
薄膜场效应晶体管(Thin Flim Transistor, TFT)技术是采用新材料和新工艺的大规模半导体集成电路技术。其是在玻璃或塑料基板等非单晶片上制作大规模半导体集成电路，通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制造集成电路。随着显示技术的发展，TFT背板的应用也越来越广泛。 薄膜晶体管是TFT背板的核心，对于现有顶栅的LTPS (Low TemperaturePoly-silicon，低温多晶硅技术)结构，一般需要8_10道掩膜工艺，而薄膜晶体管在制造过程中形成接触孔工艺较困难，且形成接触孔的面积较小，直接增加了源漏极与有源层之间的接触电阻，影响了 TFT的性能。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种接触电阻小的。 一种薄膜晶体管，包括: 基板； 源极、漏极和第一绝缘层，所述源极、漏极和第一绝缘层设置在所述基板上，所述第一绝缘层位于所述源极和漏极之间，且所述源极、漏极和第一绝缘层构成同一平面； 有源层，所述有源层设置在所述源极、漏极和第一绝缘层构成的同一平面上，所述源极和漏极与所述有源层直接接触； 第二绝缘层，覆盖所述有源层； 栅极，所述栅极设置在所述第二绝缘层上；以及 第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述栅极上。 在其中一个实施例中，所述有源层为多晶硅层。 在其中一个实施例中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质选自SiNj^P S1x中的一种或两种。 在其中一个实施例中，所述基板的材质为玻璃。 在其中一个实施例中，所述栅极的材质为铬、铬的合金材料、铝或铝合金。 一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤: 在基板上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层的两侧形成源极和漏极，所述源极、漏极和第一绝缘层构成同一平面； 在所述源极、漏极和第一绝缘层构成的同一平面上形成有源层，所述源极和漏极与所述有源层直接接触； 在所述有源层上形成第二绝缘层，覆盖所述有源层；[0021 ] 在所述第二绝缘层上形成栅极； 在所述栅极上形成第三绝缘层，得到所述薄膜晶体管。 在其中一个实施例中，所述有源层通过非晶硅采用激光晶化形成。 在其中一个实施例中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层采用化学气相沉积形成。 上述薄膜晶体管，在源极和漏极之间插入了第一绝缘层，源极、漏极和第一绝缘层构成同一平面，而有源层设置在所述源极、漏极和第一绝缘层构成的同一平面上，即有源层与源极、漏极直接接触，增加了有源层与源极和漏极的接触面积，减小了有源层与源极、漏极之间的接触电阻，保证了 TFT的性能。同时，在制作时可以调节第一绝缘层的面积，进而增大有源层和源极、漏极之间的接触面积，降低了有源层与源极、漏极的接触电阻，提高了有源层与源极、漏极之间的导电性。另外，还可以利用源漏金属层与栅极作为存储电容两极板，有源层和第二绝缘层作为电容介质，实现薄膜晶体管的储电功能。上述薄膜晶体管的制造方法，步骤简单，降低了制造成本。 【附图说明】 图1为本专利技术一实施方式的薄膜晶体管的结构示意图。 图2为本专利技术一实施方式的薄膜晶体管制造的流程图。 图3为本专利技术一实施方式的薄膜晶体管制造过程的结构示意图一。 图4为本专利技术一实施方式的薄膜晶体管制造过程的结构示意图二。 图5为本专利技术一实施方式的薄膜晶体管制造过程的结构示意图三。 图6为本专利技术一实施方式的薄膜晶体管制造过程的结构示意图四。 图7为本专利技术一实施方式的薄膜晶体管制造过程的结构示意图五。 图8为本专利技术一实施方式的薄膜晶体管制造过程的结构示意图六。 【具体实施方式】 为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳的实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。 需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。 如图1所示，一实施方式的薄膜晶体管10，包括基板100、源极102、漏极104、第一绝缘层106、有源层108、第二绝缘层110、栅极112、第三绝缘层114。 源极102和漏极104设置在基板100上，在源极102和漏极104之间设有第一绝缘层106,源极102、漏极104和第一绝缘层106构成同一平面。在本实施例中，基板100为玻璃基板。源极102、漏极104—般采用铝合金或金属铝或金属铬制作。漏极104接数据信号线，源极102接像素电极。源极102和漏极104形成于玻璃基板上，在源极102和漏极104之间设置有第一绝缘层106。第一绝缘层106将源极102和漏极104隔开，其材质为SiNx和S1x中的一种或两种。例如，第一绝缘层106的材质可以为Si02。 有源层108设置在源极102、漏极104和第一绝缘层106上，源极102和漏极104与有源层108直接接触。有源层108即非晶硅层或多晶硅层，其是TFT的核心层。有源层108形成于源极102、漏极104和第一绝缘层106上，与源极102、漏极104直接接触，增加了有源层108与源极102、漏极104的接触面积，减少了它们之间的接触电阻。第一绝缘层106相当于在源漏极与有源层108之间插入的缓冲修饰层，减小了有源层108与源漏极的接触电阻。在制作第一绝缘层106时，第一绝缘层106的面积可以进行调整，进而增大有源层108与源漏极的接触面积，降低它们之间的接触电阻。 第二绝缘层110覆盖有源层108。第二绝缘层110的作用是保护有源层108，其材质为为SiNj^P S1x中的一种或两种。例如，第二绝缘层110的材质可以为Si3N4。 栅极112设置在第二绝缘层110上。栅极112 —般采用金属铬、铬的合金材料、铝或铝合金材料制作。 第三绝缘层114设置在栅极112上。第三绝缘层114用于绝缘下一工艺流程的阳极层。第三绝缘层114的材质为聚酰亚胺(Polyimide, PI)或亚克力。 另外，可以利用源漏金属层和栅极112作为存储电容两极板，有源层108和第二绝缘层I1作为电容介质，实现薄膜晶体管100的储电功能。 如图2及图3-8所示，上述薄膜晶体管10的制造方法，包括以下步骤: 如图3所示，步骤S210，在基板100上形成第一绝缘层106。采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposit1n, CVD)在基板100上形成第一绝缘层106。在形成第一绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；源极、漏极和第一绝缘层，所述源极、漏极和第一绝缘层设置在所述基板上，所述第一绝缘层位于所述源极和漏极之间，且所述源极、漏极和第一绝缘层构成同一平面；有源层，所述有源层设置在所述源极、漏极和第一绝缘层构成的同一平面上，所述源极和漏极与所述有源层直接接触；第二绝缘层，覆盖所述有源层；栅极，所述栅极设置在所述第二绝缘层上；以及第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述栅极上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括: 基板； 源极、漏极和第一绝缘层，所述源极、漏极和第一绝缘层设置在所述基板上，所述第一绝缘层位于所述源极和漏极之间，且所述源极、漏极和第一绝缘层构成同一平面； 有源层，所述有源层设置在所述源极、漏极和第一绝缘层构成的同一平面上，所述源极和漏极与所述有源层直接接触； 第二绝缘层，覆盖所述有源层； 栅极，所述栅极设置在所述第二绝缘层上；以及 第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述栅极上。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为多晶硅层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质选自SiNj^P S1x中的一种或两种。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板的材质为玻璃。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32