一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极、源极和漏极同层设置，从而避免了源漏极材料中的金属发生氧化，不仅提高了产品良率，还降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。
技术介绍
在薄膜晶体管的制备过程中，当选择IGZO等氧化物作为半导体材料、Cu等金属作为源漏极材料时，传统工艺很容易使得源漏极的Cu等金属发生氧化而降低产品良率。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，用于解决现有技术中源漏极材料中的金属产生氧化而降低产品良率的问题。 为此，本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述栅极、源极和漏极同层设置。 可选的，还包括有源层，所述有源层包括半导体结构、第一连接结构和第二连接结构，所述半导体结构与所述栅极相对设置，所述第一连接结构将所述半导体结构和所述源极连接，所述第二连接结构将所述半导体结构和所述漏极连接。 可选的，所述半导体结构位于所述栅极的上方。 可选的，所述半导体结构位于所述栅极的下方。 可选的，所述栅极上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述源极之上，所述第二过孔位于所述漏极之上，所述第一连接结构通过所述第一过孔与所述源极连接，所述第二连接结构通过所述第二过孔与所述漏极连接。 可选的，所述有源层上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述第一连接结构之上，所述第二过孔位于所述第二连接结构之上，所述源极通过所述第一过孔与所述第一连接结构连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第二连接结构连接。 本专利技术还提供一种阵列基板，包括栅线、数据线和上述任一所述的薄膜晶体管。 可选的，当所述半导体结构位于所述栅极的下方时，还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述有源层之下。 本专利技术提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括:形成栅极、源极和漏极，所述栅极、源极和漏极同层设置。 可选的，所述形成栅极、源极和漏极的步骤之后包括:在所述栅极、源极和漏极的上方形成有源层；对位于所述栅极的上方的一部分有源层进行工艺处理，以形成半导体结构、第一连接结构和第二连接结构，所述半导体结构位于所述栅极的上方，所述第一连接结构位于所述源极之上，所述第二连接结构位于所述漏极之上，所述第一连接结构将所述半导体结构和所述源极连接，所述第二连接结构将所述半导体结构和所述漏极连接。 可选的，所述形成栅极、源极和漏极的步骤之前包括:形成有源层；对位于所述栅极的下方的一部分有源层进行工艺处理，以形成半导体结构、第一连接结构和第二连接结构，所述半导体结构位于所述栅极的下方，所述第一连接结构位于所述源极之下，所述第二连接结构位于所述漏极之下，所述第一连接结构将所述半导体结构和所述源极连接，所述第二连接结构将所述半导体结构和所述漏极连接。 可选的，所述形成栅极、源极和漏极的步骤之后，所述在所述栅极、源极和漏极的上方形成有源层的步骤之前包括:在所述栅极、源极和漏极之上形成第一绝缘层、第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述源极之上，所述第二过孔位于所述漏极之上，所述第一连接结构通过所述第一过孔与所述源极连接，所述第二连接结构通过所述第二过孔与所述漏极连接。 可选的，所述形成有源层的步骤之后，所述形成栅极、源极和漏极的步骤之前包括: 在所述有源层之上形成第一绝缘层、第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述第一连接结构之上，所述第二过孔位于所述第二连接结构之上，所述源极通过所述第一过孔与所述第一连接结构连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第二连接结构连接。 本专利技术具有下述有益效果: 本专利技术提供的薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极、源极和漏极同层设置，从而避免了源漏极材料中的金属发生氧化，不仅提高了产品良率，还降低了生产成本。 【附图说明】 图1为本专利技术实施例一提供的一种薄膜晶体管的结构示意图； 图2为本专利技术实施例二提供的一种薄膜晶体管的结构示意图； 图3为本专利技术实施例四提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图； 图4为实施例四中形成栅极、源极和漏极的示意图； 图5为实施例四中形成第一绝缘层、第一过孔和第二过孔的示意图； 图6为实施例四中形成半导体结构、第一连接结构和第二连接结构的示意图； 图7为实施例四中形成第二绝缘层和第三过孔的示意图； 图8为本专利技术实施例五提供的一种薄膜晶体管的制备方法的流程图； 图9为实施例五中形成缓冲层的示意图； 图10为实施例五中形成半导体结构、第一连接结构和第二连接结构的示意图； 图11为实施例五中形成第一绝缘层、第一过孔和第二过孔的示意图； 图12为实施例五中形成栅极、源极和漏极的示意图； 图13为实施例五中形成第二绝缘层和第三过孔的示意图。 【具体实施方式】 为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板进行详细描述。 实施例一 图1为本专利技术实施例一提供的一种薄膜晶体管的结构示意图。如图1所示，所述薄膜晶体管包括栅极101、源极102和漏极103，所述栅极101、源极102和漏极103同层设置，从而避免了源漏极材料中的金属发生氧化，不仅提高了产品良率，还降低了生产成本。 本实施例中，所述栅极101、源极102和漏极103上设置有第一绝缘层104，所述第一绝缘层104上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述源极102之上，所述第二过孔位于所述漏极103之上。所述第一绝缘层104之上设置有有源层201，所述有源层201包括半导体结构106、第一连接结构107和第二连接结构108。所述第一连接结构107通过所述第一过孔与所述源极102连接，所述第二连接结构108通过所述第二过孔与所述漏极103连接。所述半导体结构106位于所述栅极101的上方，所述第一连接结构107位于所述源极102的上方，所述第二连接结构108位于所述漏极103的上方。所述第一连接结构107将所述半导体结构106和所述源极102连接，所述第二连接结构108将所述半导体结构106和所述漏极103连接。 本实施例中，所述有源层201之上设置有第二绝缘层105，所述第二绝缘层105上设置有第三过孔202。所述第二绝缘层105之上设置有像素电极109，所述像素电极109通过所述第三过孔202与所述漏极103连接。 本实施例提供的薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极、源极和漏极同层设置，从而避免了源漏极材料中的金属发生氧化，不仅提高了产品良率,还降低了生产成本。 实施例二 图2为本专利技术实施例二提供的一种薄膜晶体管的结构示意图。如图2所示，所述薄膜晶体管包括有源层201，所述有源层201包括半导体结构106、第一连接结构107和第二连接结构108。本实施例中，所述有源层201上设置有第一绝缘层104。所述第一绝缘层104上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述第一连接结构107之上，所述第二过孔位于所述第二连接结构108之上。 本实施例中，所述第一绝缘层104上设置有栅极101、源极102和漏极103，所述栅极101、源极102和漏极103同层设置，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、源极和漏极，所述栅极、源极和漏极同层设置。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、源极和漏极，所述栅极、源极和漏极同层设置。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括有源层，所述有源层包括半导体结构、第一连接结构和第二连接结构，所述半导体结构与所述栅极相对设置，所述第一连接结构将所述半导体结构和所述源极连接，所述第二连接结构将所述半导体结构和所述漏极连接。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体结构位于所述栅极的上方。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体结构位于所述栅极的下方。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述源极之上，所述第二过孔位于所述漏极之上，所述第一连接结构通过所述第一过孔与所述源极连接，所述第二连接结构通过所述第二过孔与所述漏极连接。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述第一连接结构之上，所述第二过孔位于所述第二连接结构之上，所述源极通过所述第一过孔与所述第一连接结构连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第二连接结构连接。7.—种阵列基板，其特征在于，包括栅线、数据线和权利要求1-6任一所述的薄膜晶体管。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，当所述半导体结构位于所述栅极的下方时，还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述有源层之下。9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括: 形成栅极、源极和漏极，所述栅极、源极和漏极同层设置。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成栅极、源极和漏极的步骤之后包括: ...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓虎，刘圣烈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11