一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的薄膜晶体管中的氮氧化锌材料的有源层与源漏极的欧姆接触效果差的问题，提高了有源层与源漏极的欧姆接触性能。同时，提高了显示器的画面的显示效果。该薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，还包括：欧姆接触层，其中：所述欧姆接触层设置在有源层与所述源极之间和所述有源层与所述漏极之间的位置处；欧姆接触层的材料为氮化锌。本发明专利技术应用于显示器的制作技术中。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置。
技术介绍
随着需求的不断提高，显示器的制作工艺越来越多，各种不同的制作工艺中可能包含有多种复杂的反应机制。现有的常用的半导体有源层的材料为金属氧化物半导体材料，但是该金属氧化物半导体材料不能很好的适用各种不同工艺的生产条件，会出现电子迁移率低、欧姆接触性差等问题。同时受不同制作工艺的生产环境、电浆处理、污染处理等过程的影响，破坏半导体有源层的性能，甚至使得半导体有源层失去半导体的特性。为了解决该问题，现有技术中采用氮氧化锌替代金属氧化物作为半导体有源层的材料。但是，氮氧化锌的欧姆接触性能较差，用氮氧化锌形成的半导体有源层与源、漏极的欧姆接触效果较差，通电时会出现源、漏极与半导体有源层电连接效果不好，造成信号的延迟，影响显示器的画面的显示效果。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置，解决了现有的薄膜晶体管中的氮氧化锌材料的有源层与源漏极的欧姆接触效果差的问题，提高了有源层与源漏极的欧姆接触性能。同时，提高了显示器的画面的显示效果。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，还包括：欧姆接触层，其中：所述欧姆接触层设置在所述有源层与所述源极之间和所述有源层与所述漏极之间的位置处；所述欧姆接触层的材料为氮化锌。可选的，所述薄膜晶体管还包括：栅绝缘层和栅极，其中：所述有源层设置在所述基板上；所述栅绝缘层设置在所述有源层上使得所述有源层部分裸露的位置处；所述栅极设置在所述栅绝缘层上与所述栅绝缘层对应的位置处；所述源极和漏极设置在所述欧姆接触层上。可选的，所述有源层的材料为氮氧化锌。可选的，所述薄膜晶体管还包括：修饰层，其中：所述修饰层设置在所述欧姆接触层上，且所述修饰层上与所述源极和所述漏极对应的位置处设置有过孔；所述修饰层的材料为金属或者非金属氮化物。可选的，所述有源层的厚度为可选的，所述源极和漏极的厚度均为可选的，所述欧姆接触层的厚度小于可选的，所述修饰层的厚度为第二方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：形成有源层、源极和漏极，还包括：在所述有源层与所述源极之间和所述有源层与所述漏极之间形成欧姆接触层；所述欧姆接触层的材料为氮化锌。可选的，所述方法还包括：采用氮氧化锌材料在所述基板上形成有源层；在所述有源层上形成使得所述有源层部分裸露的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成覆盖所述栅绝缘层的栅极；在所述欧姆接触层上形成源极和漏极。可选的，所述在所述有源层与所述源极之间和所述有源层与所述漏极之间形成欧姆接触层，包括：采用金属氮化物或者非金属氮化物材料在所述有源层与所述源漏极之间的位置处形成氮化物薄膜，以便于所述氮化物薄膜中的氮化物与所述有源层中的氮氧化锌反应形成所述欧姆接触层。可选的，所述方法还包括：通过一次构图工艺形成所述栅绝缘层和所述栅极。第三方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括第一方面所述的任一薄膜晶体管。第四方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第三方面所述的显示基板。本专利技术的实施例提供的薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置，通过在有源层与源极之间和有源层与漏极之间的位置制作由氮化锌材料形成的欧姆接触层；相比于现有技术方案中为了保证薄膜晶体管的性能必须使得栅极的面积大于有源层的面积，本专利技术中由于增加了欧姆接触层，栅极的面积相比于现有技术方案中栅极的面积极大的减小，进而可以有效的减小这样形成的有源层的面积也减小，从而使得源漏极与栅极之间的寄生电容减小，同时氮化锌材料的欧姆接触性能较好，因此用氮化锌形成的欧姆接触层使得源漏极与有源层之间的欧姆接触性较好，解决了现有的薄膜晶体管中的氮氧化锌材料的有源层与源漏极的欧姆接触效果差的问题，提高了有源层与源漏极的欧姆接触性能。同时，提高了显示器的画面的显示效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术的实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；图3为本专利技术的实施例提供的又一种薄膜晶体管的结构示意图；图4为本专利技术的实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法的流程示意图；图5为本专利技术的实施例提供的另一种薄膜晶体管的制作方法的流程示意图；图6为本专利技术的实施例提供的又一种薄膜晶体管的制作方法的流程示意图。附图标记：1-基板；2-栅极；3-栅绝缘层；4-有源层；5-源极；6-漏极；7欧姆接触层；8-修饰层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管，参照图1所示，该薄膜晶体管包括：基板1、栅极2、栅绝缘层3、有源层4、源极5、漏极6和欧姆接触层7，其中：欧姆接触层7设置在有源层4与源极5之间和有源层4与漏极6之间的位置处。欧姆接触层7的材料为氮化锌。具体的，本实施例中的欧姆接触层采用氮化锌材料来形成，由于氮化锌的欧姆接触性能较好，同时欧姆接触层位于有源层与源漏极之间的位置处。氮化锌可以产生大量的电荷，具有较好的导电性能，这样最终形成的薄膜晶体管中的有源层与源漏极的欧姆接触性能比现有技术中的只是源漏极与有源层接触的结构的源漏极与有源层之间的欧姆接触性能好，使得最终形成的显示器件中不会产生很大的信号时延，避免出现显示器的画面的显示质量不佳的问题。需要说明的是，本实施例中只是举例说明薄膜晶体管的结构如图1中所示，实际设计中只要保证薄膜晶体管中的源漏极与有源层之间具有氮化锌材料的欧姆接触层即可，有源层可以是在源漏极的上面也可以是在源漏极的下面，薄膜晶体管可以栅极顶接触类型也可以是栅极底接触类型。其中，基板可以是玻璃基板或石英基板等；栅极可以是采用金属材料等形成的；栅绝缘层可以是采用氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等形成的。本专利技术的实施例提供的薄膜晶体管，通过在有源层与源极之间和有源层与漏极之间的位置制作由氮化锌材料形成的欧姆接触层；相比于现有技术方案中为了保证薄膜晶体管的性能必须使得栅极的面积大于有源层的面积，本专利技术中由于增加了欧姆接触层，栅极的面积相比于现有技术方案中栅极的面积极大的减小，进而可以有效的减小这样形成的有源层的面积也减小，从而使得源漏极与栅极之间的寄生电容减小，同时氮化锌材料的欧姆接触性能较好，因此用氮化锌形成的欧姆接触层使得源漏极与有源层之间的欧姆接触性较好，解决了现有的薄膜晶体管中的氮氧化锌材料的有源层与源漏极的欧姆接触效果差的问题，提高了有源层与源漏极的欧姆接触性能。同时，提高了显示器的画面的显示效果。进一步，参照图2所示，该薄膜晶体管的有源层4设置在基板1上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：欧姆接触层，其中：所述欧姆接触层设置在所述有源层与所述源极之间和所述有源层与所述漏极之间的位置处；所述欧姆接触层的材料为氮化锌。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：欧姆接触层，其中：所述欧姆接触层设置在所述有源层与所述源极之间和所述有源层与所述漏极之间的位置处；所述欧姆接触层的材料为氮化锌；所述有源层的材料为氮氧化锌；所述薄膜晶体管还包括：修饰层，其中：所述修饰层设置在所述欧姆接触层上，且所述修饰层上与所述源极和所述漏极对应的位置处设置有过孔；所述修饰层的材料为金属或者非金属氮化物。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：栅绝缘层和栅极，其中：所述有源层设置在基板上；所述栅绝缘层设置在所述有源层上使得所述有源层部分裸露的位置处；所述栅极设置在所述栅绝缘层上与所述栅绝缘层对应的位置处；所述源极和漏极设置在所述欧姆接触层上。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的厚度为4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极的厚度均为5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述欧姆接触层的厚度小于6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述修饰层的厚度为7.一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：形成有源层、源极和漏极，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛龙宝，刘凤娟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11