薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板表面的栅极电极、层叠设置在所述栅极电极上的栅极保护层和半导体层、设于所述半导体层表面的刻蚀阻止层、源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属位于所述刻蚀阻止层的两侧。所述薄膜晶体管还包括遮光层、绝缘介质层和像素电极，所述遮光层层叠设于所述刻蚀阻止层上方，以防止光照射至所述半导体层，所述绝缘介质层覆盖所述源极金属、所述漏极金属及所述遮光层，像素电极设于绝缘介质层表面，且电连接至漏极金属。本发明专利技术能够避免光照射至半导体层，从而避免了由于光照的原因导致薄膜晶体管阀值波动，提高液晶面板的可靠性。本发明专利技术还提供一种显示装置和一种薄膜晶体管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别涉及一种。
技术介绍
目前，应用氧化物半导体作为薄膜晶体管的半导体层属于比较前沿的技术。由于氧化物半导体薄膜晶体管具有较高的迁移率和高的可见光透过性，该器件正被大量的应用于液晶显示装置。 现有技术中的薄膜晶体管存在由于光照射薄膜晶体管的半导体层而导致该薄膜晶体管的阀值发生波动的问题。由于对入射光的吸收，而导致电导率发生变动，薄膜晶体管的阀值变动，从而导致液晶显示面板可靠性降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种，能够实现对薄膜晶体管的遮光保护，又能够节省工艺步骤。 为了实现上述目的，本专利技术实施方式提供如下技术方案: 本专利技术供了一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板表面的栅极电极、层叠设置在所述栅极电极上的栅极保护层和半导体层、设于所述半导体层表面的刻蚀阻止层、源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属位于所述刻蚀阻止层的两侧，所述薄膜晶体管还包括遮光层、绝缘介质层和像素电极，所述遮光层层叠设于所述刻蚀阻止层上方，以防止光照射至所述半导体层，所述绝缘介质层覆盖所述源极金属、所述漏极金属及所述遮光层，所述像素电极设于所述绝缘介质层表面，且电连接至所述漏极金属。 其中，所述遮光层为有机黑色材质，具有不透光不导电的特性。 其中，所述遮光层为黑色负性光阻。 其中，所述遮光层的材料为BM材料。 本专利技术还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一项所述的薄膜晶体管。 本专利技术还提供一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管的制造方法包括: 提供基板，并在所述基板上沉积栅极电极； 在所述基板的设有所述栅极电极的表面沉积栅极保护层； 在所述栅极保护层表面制作半导体层； 在所述半导体层表面沉积刻蚀阻止层； 在所述刻蚀阻止层表面制作遮光层； 沉积源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属位于所述半导体层表面，且分别位于所述刻蚀阻止层的两侧； 沉积绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述源极金属、所述漏极金属及所述遮光层;及 制作像素电极，所述像素电极设于所述绝缘介质层表面，且电连接至所述漏极金属。 其中，所述遮光层为有机黑色材质，具有不透光不导电的特性。 其中，所述遮光层为黑色负性光阻，通过对所述遮光层进行光刻工艺，在同道光刻工艺制程中实现所述刻蚀阻止层图形和所述遮光层图形的制作。 其中，“在所述刻蚀阻止层表面制作遮光层”的步骤包括: 在沉积好的所述刻蚀阻止层表面涂覆一层光刻胶，所述光刻胶为负性光刻胶，具遮光特征 '及 配合光罩设计，通过光刻工艺，制作光刻图形，以形成所述遮光层图形和所述刻蚀阻止层图形。 其中，所述光刻工艺为半色调或灰度的光刻工艺的掩膜设计，能够调整所述遮光层的厚度。 本专利技术通过在刻蚀阻止层表面设一层遮光层，使得本专利技术薄膜晶体管导电区域被一层不透光的遮光层所覆盖，遮光层能够保护晶体管半导体层不被光所照射，从而避免了由于光照的原因导致薄膜晶体管阀值波动，提高显示装置的可靠性。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。 图1是本专利技术一种实施方式中的薄膜晶体管示意图。 图2是制造图1所示的薄膜晶体管过程中，在基板上沉积栅极电极、栅极保护层及半导体层的示意图。 图3是制造图1所示的薄膜晶体管过程中，在图2的基础上沉积刻蚀阻止层的示意图。 图4是制造图1所示的薄膜晶体管过程中，在图3的基础上涂覆一层光刻胶，且进行光刻工艺的示意图。 图5是在图4的基础上，光刻工艺后形成遮光层图形的不意图。 图6是在图5的基础上，刻蚀出刻蚀阻止层的图形的示意图。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。 图1所示为本专利技术供的一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板1、设于基板1表面的栅极电极2、层叠设置在所述栅极电极2上的栅极保护层3和半导体层4(即沟道层)、设于所述半导体层4表面的刻蚀阻止层6、源极金属5a和漏极金属5b，所述源极金属5a和所述漏极金属5b位于所述刻蚀阻止层6的两侧。在本实施方式中，所述基板1为透明玻璃基板。所述栅极电极2通过在基板1上沉积金属层形成，其材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。一种实施方式中，刻蚀阻挡层为Si02，用于保护半导体层4。 所述薄膜晶体管还包括遮光层7、绝缘介质层8和像素电极9。所述遮光层7层叠设于所述刻蚀阻止层6上方，以防止光照射至所述半导体层4。所述绝缘介质层8覆盖所述源极金属5a、所述漏极金属5b及所述遮光层7，所述像素电极9设于所述绝缘介质层8表面，且电连接至所述漏极金属5b。绝缘介质层8上设有通孔，像素电极9部分伸入通孔，以实现将像素电极9电连接至所述漏极金属5b。 具体而言，所述遮光层7为有机黑色材质，具有不透光不导电的特性。 所述遮光层7优选为黑色负性光阻。一种实施方式中，所述遮光层7的材料为BM材料。 本专利技术还提供一种显示装置，所述显示装置包括所述的薄膜晶体管。 本专利技术通过在刻蚀阻止层6表面设一层遮光层7，使得本专利技术薄膜晶体管导电区域被一层不透光的遮光层7所覆盖，遮光层7能够保护晶体管半导体层4不被光所照射，从而避免了由于光照的原因导致薄膜晶体管阀值波动，提高显示装置的可靠性。 本专利技术还提供一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管的制造方法包括如下步骤: 请参阅图2，提供基板1，本实施方式中，所述基板1为透明玻璃基板。在所述基板 1上沉积栅极电极2，图2所示，栅极电极2形成在基板1的一个表面的中间位置处，栅极电极2的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。在所述基板1的设有所述栅极电极2的表面沉积栅极保护层3。在所述栅极保护层3表面制作半导体层4，半导体层4位于栅极电极2的正上方。 请参阅图3，在所述半导体层4表面沉积刻蚀阻止层6。 请参阅图4、图5和图6，在所述刻蚀阻止层6表面制作遮光层7。 沉积源极金属5a和漏极金属5b,所述源极金属5a和所述漏极金属5b位于所述半导体层4表面，且分别位于所述刻蚀阻止层6的两侧。沉积源极金属5a和漏极金属5b的方法同现有技术的作法，不再详述。然后，沉积绝缘介质层8，所述绝缘介质层8覆盖所述源极金属5a、所述漏极金属5b及所述遮光层7。最后，制作像素电极9，所述像素电极9设于所述绝缘介质层8表面，且电连接至所述漏极金属5b。制作像素电极9前，先在绝缘介质层8上设通孔，然后再沉积像素电极9层，使得像素电极9层进入通孔内与漏极金属5b电连接。 具体而言，所述遮光层7为有机黑色材质，具有不透光不导电的特性。所述遮光层7为黑色负性光阻，通过对所述遮光层7进行光刻工艺，在同道光刻工艺制程中实现所述刻蚀阻止层6图形和所述遮光层7图形的制作。这样，可以省去一道对半导体层4的单独光刻工艺，同时实现对器件的遮光和保护。 一种实施方式中，请参阅图4-图6，“在所述刻蚀阻止层6表面制作遮光层7”的步骤包括:在沉积好的所述刻蚀阻止层6表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板表面的栅极电极、层叠设置在所述栅极电极上的栅极保护层和半导体层、设于所述半导体层表面的刻蚀阻止层、源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属位于所述刻蚀阻止层的两侧，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括遮光层、绝缘介质层和像素电极，所述遮光层层叠设于所述刻蚀阻止层上方，以防止光照射至所述半导体层，所述绝缘介质层覆盖所述源极金属、所述漏极金属及所述遮光层，所述像素电极设于所述绝缘介质层表面，且电连接至所述漏极金属。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括基板、设于基板表面的栅极电极、层叠设置在所述栅极电极上的栅极保护层和半导体层、设于所述半导体层表面的刻蚀阻止层、源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属位于所述刻蚀阻止层的两侧，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括遮光层、绝缘介质层和像素电极，所述遮光层层叠设于所述刻蚀阻止层上方，以防止光照射至所述半导体层，所述绝缘介质层覆盖所述源极金属、所述漏极金属及所述遮光层，所述像素电极设于所述绝缘介质层表面，且电连接至所述漏极金属。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层为有机黑色材质，具有不透光不导电的特性。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层为黑色负性光阻。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的材料为BM材料。5.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管。6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制造方法包括: 提供基板，并在所述基板上沉积栅极电极； 在所述基板的设有所述栅极电极的表面沉积栅极保护层； 在所述栅极保护层表面制作半导体层； 在所述半导体层表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋平，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44