一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，薄膜晶体管中的有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，第一有源层在衬底基板上的正投影覆盖源极、漏极以及位于源极和漏极之间的间隙处的正投影，且覆盖栅极的正投影；第二有源层位于源极和漏极之间的间隙处，且在衬底基板上的正投影位于栅极的正投影所在区域内，在背光光照条件下，由于薄膜晶体管的第二有源层所在区域被栅极遮挡，只有第一有源层中没有被栅极遮挡的区域可以产生的光生载流子数，因此，这样的结构产生的光生载流子数目少，有效抑制了关态电流的上升，从而提高开态电流和关态电流之比，进一步提升薄膜晶体管的发光性能，增强显示器件的图像显示质量。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤指一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
通常，在显示器件的生产中，薄膜晶体管(Thin-filmTransistor，TFT)起到具有十分重要的作用，主要利用薄膜晶体管的开态对显示器件的像素电容快速充电，利用薄膜晶体管的关态来保持像素电容的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。薄膜晶体管由于具有非常高的开态电流(Ion)和关态电流(Ioff)之比和陡峭的转移特性，因而作为非线性开关元件被广泛地应用于大面积液晶显示器以及接触型图像传感器等领域。目前常规底栅反堆栈型非晶硅薄膜晶体管的具体结构如图1所示，包括：衬底基板01，以及设置在衬底基板01上的栅极02、设置在栅极02上且与栅极02绝缘的有源层03、相对而置且分别与有源层03电性连接的源极04和漏极05，当通过安装在衬底基板01中的电路将电流施加到栅极02时，加载到源极04的电流通过有源层03传输到漏极05，驱动显示器件的像素单元，从而显示图像。栅极02与有源层03之间设置有栅绝缘层06，在源极04和漏极05之上设置有钝化层07，其中，栅绝缘层06通常采用a-SiNx薄膜，有源层03通常采用a-Si:H薄膜，钝化层07通常采用a-SiNx薄膜，栅极02、源极04和漏极05通常采用金属铬材料。为了改善源极04、漏极05与a-Si:H薄膜的接触特性，在其间插入了薄的n+型a-Si:H薄膜作为欧姆接触层08。作为薄膜晶体管有源层的a-Si:H薄膜是一种具有良好光敏性的材料，但是在背光光照条件下有源层自身的电阻阻值会发生改变，会使薄膜晶体管的关态电流上升2～3个数量级，这样会大大减小薄膜晶体管的开态电流与关态电流之比，严重地影响了液晶显示器的图像显示质量。因此，如何在背光光照条件下，提高薄膜晶体管的开态电流与关态电流之比，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，可以有效抑制关态电流的上升，提高开态电流和关态电流之比，从而提升薄膜晶体管的发光性能。因此，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的栅极、设置在所述栅极上且与所述栅极绝缘的有源层、相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏极；所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述源极、漏极以及位于所述源极和漏极之间的间隙处的正投影，且覆盖所述栅极的正投影；所述第二有源层位于所述源极和漏极之间的间隙处，且在衬底基板上的正投影位于所述栅极的正投影所在区域内。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第二有源层位于所述第一有源层的上方且与所述第一有源层相互连接。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，还包括：设置在所述第一有源层与所述源极之间以及设置在所述第一有源层和所述漏极之间的欧姆接触层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，还包括：设置在所述第二有源层上方且与所述第二有源层相互绝缘的遮光层；所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二有源层的正投影。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第二有源层的厚度大于所述第一有源层的厚度。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第一有源层的厚度为60nm至100nm。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第一有源层和所述第二有源层的厚度之和为100nm至500nm。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管。本专利技术实施例提供的一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板。本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅极的图形；在形成有所述栅极的衬底基板上形成第一有源层的图形；在所述第一有源层上形成包括第二有源层、源极和漏极的图形。本专利技术实施例的有益效果包括：本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，薄膜晶体管中的有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，第一有源层在衬底基板上的正投影覆盖源极、漏极以及位于源极和漏极之间的间隙处的正投影，且覆盖栅极的正投影；第二有源层位于源极和漏极之间的间隙处，且在衬底基板上的正投影位于栅极的正投影所在区域内，在背光光照条件下，由于薄膜晶体管的第二有源层所在区域被栅极遮挡，只有第一有源层中没有被栅极遮挡的区域可以产生的光生载流子数，因此，这样的结构产生的光生载流子数目少，有效抑制了关态电流的上升，从而提高开态电流和关态电流之比，进一步提升薄膜晶体管的发光性能，增强显示器件的图像显示质量。附图说明图1为现有技术中的底栅反堆栈型薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的流程图。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术实施例提供的薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。其中，附图中各膜层的厚度和区域的大小形状不反映薄膜晶体管各部件的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，如图2所示，包括衬底基板11，以及设置在衬底基板上的栅极12、设置在栅极12上且与栅极绝缘的有源层13、相对而置且分别与有源层电性连接的源极14和漏极15；该有源层13包括层叠设置的第一有源层131和第二有源层132；其中，该第一有源层131在衬底基板11上的正投影覆盖源极14、漏极15以及位于源极14和漏极15之间的间隙处的正投影，且覆盖栅极12的正投影；该第二有源层132位于源极14和漏极15之间的间隙处，且在衬底基板11上的正投影位于栅极12的正投影所在区域内。在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管，薄膜晶体管中的有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，第一有源层在衬底基板上的正投影覆盖源极、漏极以及位于源极和漏极之间的间隙处的正投影，且覆盖栅极的正投影；第二有源层位于源极和漏极之间的间隙处，且在衬底基板上的正投影位于栅极的正投影所在区域内，在背光光照条件下，由于薄膜晶体管的第二有源层所在区域被栅极遮挡，只有第一有源层中没有被栅极遮挡的区域可以产生的光生载流子数，因此，这样的结构产生的光生载流子数目少，有效抑制了关态电流的上升，从而提高开态电流和关态电流之比，进一步提升薄膜晶体管的发光性能，增强显示器件的图像显示质量。进一步地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，该第二有源层132位于第一有源层131的上方且与第一有源层131相互连接，这样可以在外部看来，第一有源层131和第二有源层132仍是一个整体，有利于电流的传输，另外，第一有源层131和第二有源层132也可相互绝缘，分别与源极、漏极电性相连，在此不做赘述。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，第二有源层132的厚度一般大于第一有源层131的厚度，这样可以使薄膜晶体管在背光光照条件下，第一有源层131只吸收较少的光子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的栅极、设置在所述栅极上且与所述栅极绝缘的有源层、相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏极，其特征在于：所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述源极、漏极以及位于所述源极和漏极之间的间隙处的正投影，且覆盖所述栅极的正投影；所述第二有源层位于所述源极和漏极之间的间隙处，且在衬底基板上的正投影位于所述栅极的正投影所在区域内。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的栅极、设置在所述栅极上且与所述栅极绝缘的有源层、相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏极，其特征在于：所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述源极、漏极以及位于所述源极和漏极之间的间隙处的正投影，且覆盖所述栅极的正投影；所述第二有源层位于所述源极和漏极之间的间隙处，且在衬底基板上的正投影位于所述栅极的正投影所在区域内；所述第一有源层和第二有源层的材料均为非晶硅材料。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二有源层位于所述第一有源层的上方且与所述第一有源层相互连接。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：设置在所述第一有源层与所述源极之间以及设置在所述第一有源层和所述漏极之间的欧姆接触层。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张莹，李鑫，朱红，于洪俊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11