【技术实现步骤摘要】
-种用于单晶枯生长妒的氣气分流装置
本技术是关于单晶炉氮气系统，特别涉及一种用于单晶娃生长炉的氮气分流 装置。
技术介绍
单晶炉在拉晶过程中需要持续地向炉体内通入氮气等惰性气体，保证单晶生长的 惰性气体环境及稳定的压力，同时氮气气流可W及时地带走娃单晶拉制过程中产生的娃氧 化物和杂质挥发物，保证娃单晶棒的成晶率和成晶品质。如果炉体内氮气气流不均匀、稳 定，不仅影响娃氧化物和杂质挥发物及时排出，也会影响单晶炉上轴系统的稳定性，直接影 响娃单晶棒的成晶率和成晶品质。为解决该方面的问题，有必要提供一种氮气分流装置，使 进入炉体的氮气气流稳定均匀，有利于娃氧化物和杂质挥发物及时排出，保证单晶炉上轴 系统的稳定性，从而提高娃单晶棒的成晶率和成晶品质。
技术实现思路
本技术的主要目的在于克服现有技术中的不足，提供一种能使进入炉体内的 氮气气流稳定均匀、提高娃单晶棒的成晶率和成晶品质的氮气分流装置。为解决上述技术 问题，本技术的解决方案是： 提供一种用于单晶娃生长炉的氮气分流装置，包括氮气净化圈和顶面法兰，氮气 净化圈至少设有两个，且氮气净化圈之间用螺钉和圆柱销依次连接；顶面法兰安装在单晶 炉的腔体顶部，上端的氮气净化圈的一端与顶面法兰连接； 顶面法兰和氮气净化圈的中也都设有一个通孔，用于作为单晶炉上轴系统的升降 及旋转通道；顶面法兰的上端开有通气孔，用于作为氮气的进入通道；每个氮气净化圈上 都开有通气槽和通气孔，通气孔均布在通气槽上，通气槽和通气孔分别作为氮气净化圈上 氮气的进口和出口。 作为进一步的改进，所述通气槽为圆环状凹槽...
【技术保护点】
一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置，其特征在于，包括氩气净化圈和顶面法兰，氩气净化圈至少设有两个，且氩气净化圈之间用螺钉和圆柱销依次连接；顶面法兰安装在单晶炉的腔体顶部，上端的氩气净化圈的一端与顶面法兰连接；顶面法兰和氩气净化圈的中心都设有一个通孔，用于作为单晶炉上轴系统的升降及旋转通道；顶面法兰的上端开有通气孔，用于作为氩气的进入通道；每个氩气净化圈上都开有通气槽和通气孔，通气孔均布在通气槽上，通气槽和通气孔分别作为氩气净化圈上氩气的进口和出口。
【技术特征摘要】
1. 一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置，其特征在于，包括氩气净化圈和顶面法兰， 氩气净化圈至少设有两个，且氩气净化圈之间用螺钉和圆柱销依次连接；顶面法兰安装在 单晶炉的腔体顶部，上端的氩气净化圈的一端与顶面法兰连接； 顶面法兰和氩气净化圈的中心都设有一个通孔，用于作为单晶炉上轴系统的升降及旋 转通道；顶面法兰的上端开有通气孔，用于作为氩气的进入通道；每个氩气净化圈上都开 有通气槽和通气孔，通气孔均布在通气槽上，通气槽和通气孔分别作为氩气净化圈上氩气 的进口和出口。2. 根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置，其特征在于，所述 通气槽为圆环状凹槽，通气孔均匀均分布在通气槽上，且相邻氩气净化圈的通气孔交错分 布。3. 根据权利要求1所述的一种用于单晶硅生长炉的氩气分流装置，其特征在于，氩气 净化圈设有四个，从上至下依次分别为...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，朱亮，王巍，俞安州，孙明，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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