本发明专利技术创造提供一种CCD光学定位式硅片边缘二氧化硅的去除方法，采用双定位系统，选用普通中心定位系统与CCD光学定位系统共用，在保留原有中心定位系统的基础上增加了光学系统，既提高了整个被背处理工艺的效率，又增加了硅片边缘氧化膜去除的准确度，整个过程机械全自动操作，操作简单，生产效率高，实用性强，减少了硅片次品率的同时节约了人力成本，一种适用于大规模工业生产的去除硅片背面SiO2膜的技术。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术创造提供一种CCD光学定位式硅片边缘二氧化硅的去除方法，采用双定位系统，选用普通中心定位系统与CCD光学定位系统共用，在保留原有中心定位系统的基础上增加了光学系统，既提高了整个被背处理工艺的效率，又增加了硅片边缘氧化膜去除的准确度，整个过程机械全自动操作，操作简单，生产效率高，实用性强，减少了硅片次品率的同时节约了人力成本，一种适用于大规模工业生产的去除硅片背面SiO2膜的技术。【专利说明】—种CCD式光学定位硅片边缘二氧化硅的去除方法
本专利技术创造涉及半导体晶圆硅抛光片的边缘二氧化硅处理技术，特别涉及一种CCD式光学定位硅片边缘二氧化硅的去除方法。
技术介绍
硅晶圆抛光片的加工一般主要包括切片、倒角、磨片、腐蚀、背处理、抛光、清洗等制程，其中背处理制程一般包括背损伤处理、背封处理和边缘氧化膜去除处理等。边缘氧化膜去除处理是硅晶圆抛光片加工的重要制程，对抛光片以及后道外延和IGBT器件的良率起着至关重要的作用，而目前现有的背处理工艺大多存在定位不准、定位效率低、容易出现故障等问题，因此想要提高硅片背处理工艺的生产效率，提升中心定位速度是重点技术改造方向。
技术实现思路
本专利技术创造要解决的问题是提供一种过程简单、高效、定位准确的CCD式光学定位去除硅片边缘二氧化硅的方法。 为解决上述技术问题，本专利技术创造采用的技术方案是: 一种CXD光学定位式硅片边缘二氧化硅的去除方法，所述方法包括如下步骤: (I)通过操作机械手旋转及升降将将背封工艺后待蚀刻硅片从片蓝中取出，并将所述待蚀刻硅片的背封面与硅片旋转定位台上带有吸附能力的底盘接触并固定； (2)将固定在所述待蚀刻硅片旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片通过CCD光学定位系统拍照进行自动定心并模拟计算出所述待蚀刻硅片的矢量坐标，CCD光学定位系统将计算出的待蚀刻硅片的矢量坐标与原照片进行位置比对准确无误后，将计算出的矢量坐标信息依次传递到后续工位上料机械手及后续的去边蚀刻工位； (3)经过定位后的机械手将位于旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片取出，并将其转移至经过步骤(2)定位之后的所述去边蚀刻工位的吸附底盘上，所述蚀刻工位旋转并对所述待蚀刻硅片的边缘进行蚀刻，去除边缘二氧化硅； (4)将经过蚀刻后的硅片通过定位后的机械手传递至清洗工位进行清洗，清洗后下料装蓝。 优选地，所述CCD光学定位系统是在保留原有中心定位系统的基础上增加的光学定位系统，且所述CCD光学定位系统与原有中心定位系统之间可直接切换。 本专利技术创造具有的优点和积极效果是:本专利技术要求保护的一种CCD光学定位式硅片边缘二氧化硅的去除方法，采用双定位系统，选用普通中心定位系统与CCD光学定位系统共用，在保留原有中心定位系统的基础上增加了光学系统，既提高了整个被背处理工艺的效率，又增加了硅片边缘氧化膜去除的准确度，整个过程机械全自动操作，操作简单，生产效率高，实用性强，减少了硅片次品率的同时节约了人力成本，一种适用于大规模工业生产的去除硅片背面Si02膜的技术。 【具体实施方式】 一种CXD光学定位式硅片边缘二氧化硅的去除方法，所述方法包括如下步骤: (I)通过操作机械手旋转及升降将将背封工艺后待蚀刻硅片从片蓝中取出，并将所述待蚀刻硅片的背封面与硅片旋转定位台上带有吸附能力的底盘接触并固定； (2)将固定在所述待蚀刻硅片旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片通过CCD光学定位系统拍照进行自动定心并模拟计算出所述待蚀刻硅片的矢量坐标，CCD光学定位系统将计算出的待蚀刻硅片的矢量坐标与原照片进行位置比对准确无误后，将计算出的矢量坐标信息依次传递到后续工位上料机械手及后续的去边蚀刻工位； (3)经过定位后的机械手将位于旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片取出，并将其转移至经过步骤(2)定位之后的所述去边蚀刻工位的吸附底盘上，所述蚀刻工位旋转并对所述待蚀刻硅片的边缘进行蚀刻，去除边缘二氧化硅； (4)将经过蚀刻后的硅片通过定位后的机械手传递至清洗工位进行清洗，清洗后下料装蓝。 优选地，所述CCD光学定位系统是在保留原有中心定位系统的基础上增加的光学定位系统，且所述CCD光学定位系统与原有中心定位系统之间可直接切换。 以上对本专利技术创造的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本专利技术创造的较佳实施例，不能被认为用于限定本专利技术的实施范围。凡依本专利技术创造范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本专利涵盖范围之内。【权利要求】1.一种CCD光学定位式娃片边缘二氧化娃的去除方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤: (1)通过操作机械手旋转及升降将将背封工艺后待蚀刻硅片从片蓝中取出，并将所述待蚀刻硅片的背封面与硅片旋转定位台上带有吸附能力的底盘接触并固定； (2)将固定在所述待蚀刻硅片旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片通过CCD光学定位系统拍照进行自动定心并模拟计算出所述待蚀刻硅片的矢量坐标，CCD光学定位系统将计算出的待蚀刻硅片的矢量坐标与原照片进行位置比对准确无误后，将计算出的矢量坐标信息依次传递到后续工位上料机械手及后续的去边蚀刻工位； (3)经过定位后的机械手将位于旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片取出，并将其转移至经过步骤(2)定位之后的所述去边蚀刻工位的吸附底盘上，所述蚀刻工位旋转并对所述待蚀刻硅片的边缘进行蚀刻，去除边缘二氧化硅； (4)将经过蚀刻后的硅片通过定位后的机械手传递至清洗工位进行清洗，清洗后下料装蓝。2.根据权利要求1所述的硅片边缘二氧化硅的去除方法，其特征在于:所述CCD光学定位系统是在保留原有中心定位系统的基础上增加的光学定位系统，且所述CCD光学定位系统与原有中心定位系统之间可直接切换。【文档编号】H01L21/311GK104362090SQ201410660051【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年11月18日 优先权日:2014年11月18日 【专利技术者】刘振福, 罗翀, 张宇, 王国瑞 申请人:天津中环领先材料技术有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种CCD光学定位式硅片边缘二氧化硅的去除方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)通过操作机械手旋转及升降将将背封工艺后待蚀刻硅片从片蓝中取出，并将所述待蚀刻硅片的背封面与硅片旋转定位台上带有吸附能力的底盘接触并固定；(2)将固定在所述待蚀刻硅片旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片通过CCD光学定位系统拍照进行自动定心并模拟计算出所述待蚀刻硅片的矢量坐标，CCD光学定位系统将计算出的待蚀刻硅片的矢量坐标与原照片进行位置比对准确无误后，将计算出的矢量坐标信息依次传递到后续工位上料机械手及后续的去边蚀刻工位；(3)经过定位后的机械手将位于旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片取出，并将其转移至经过步骤(2)定位之后的所述去边蚀刻工位的吸附底盘上，所述蚀刻工位旋转并对所述待蚀刻硅片的边缘进行蚀刻，去除边缘二氧化硅；(4)将经过蚀刻后的硅片通过定位后的机械手传递至清洗工位进行清洗，清洗后下料装蓝。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘振福，罗翀，张宇，王国瑞，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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