一种NMOS器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种NMOS器件及其制作方法，包括：第一栅极结构和第二栅极结构；位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区；位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区；位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。本发明专利技术能够使得源漏串联电阻降低40％左右，线性区和饱和区的跨导分别增加50％和20％左右，获得较小的漏电流和较低功耗。

【技术实现步骤摘要】
—种NMOS器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种NM0S器件及其制作方法。
技术介绍
N 型金属-氧化物-半导体(N-Mental-Oxide-Semiconductor, NM0S)结构是低温多晶娃液晶显不器(Low Temperature Poly-siliconLiquid Crystal Display,LTPS-LCD)技术中采用的一种基本半导体器件结构。对于NM0S结构形成的半导体器件来说，需要关心的重要物理参数包括:跨导、迁移率、开启电压、导通电流和漏电流等。 M0S器件的微细化会导致显著的热载流子效应，使器件性能退化，可靠性降低，轻掺杂(Lightly Doped Drain,LDD)是一种能够有效抑制热载流子效应的手段。近年来，人们致力于提高NM0S器件的开启速度、降低漏电流，因而将双栅和双边轻掺杂(Lightly DopedDrain, LDD)技术应用在NMOS器件当中。但是，这种设计在降低漏电流的同时也增加了能耗。随后，非对称单边漏端LDD技术作为替代方案被提出。它只在漏端设有轻掺杂区，具体实现步骤为二次光刻和一次离子注入，过程如下:在多晶硅栅形成后用一块附加掩膜版光亥IJ，使光刻胶掩蔽多晶硅栅的一半；注入磷形成轻掺杂η-区；再用另一块附加掩膜版光刻，使光刻胶掩蔽多晶硅栅的另一半；注入磷形成η+源区；然后淀积二氧化硅，用各向异性反应离子刻蚀形成氧化硅侧壁；接着全面进行磷注入形成η+源漏区。此方案的制作过程中其他工艺步骤与常规NM0S制作工艺相同。 由于单边漏端LDD掺杂在原有NM0S器件制作过程中额外增加了 2步掩膜(MASK)工艺，这对工艺难度的要求增加。另外由于掺杂(Doping)过程中所注入离子的剂量大，能量高，以致掺杂后对光刻胶有损伤，容易出现光刻胶残留，造成其剥离的困难，影响器件性倉泛。
技术实现思路
本专利技术提供一种NM0S器件及其制作方法，以解决现有技术中器件性能不高的技术问题。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种NM0S器件，包括: 第一栅极结构和第二栅极结构； 位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区； 位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区； 位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。 进一步地， 所述第一轻掺杂区和/或所述第二轻掺杂区为磷掺杂N型轻掺杂区。 进一步地， 所述N型重掺杂区为磷掺杂N型重掺杂区。 进一步地， 所述源区和/或漏区为磷掺杂N型重掺杂区。 另一方面，本专利技术还提供一种NMOS器件制作方法，包括: 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底表面形成栅氧化层，并形成包括第一栅极结构和第二栅极结构的多晶硅栅层； 在所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处形成第一轻掺杂区，在靠近所述第二栅极结构且位于所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧形成第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区； 在所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间形成N型重掺杂区； 在所述第一栅极结构和第二栅极结构的两侧形成侧墙； 在所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧形成源区，在所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧形成漏区。 进一步地，所述在所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处形成第一轻掺杂区，在靠近所述第二栅极结构且位于所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧形成第二轻掺杂区包括: 采用特定形状的掩膜板通过光刻刻蚀后进行离子注入，以形成第一轻掺杂区和第二轻掺杂区。 进一步地， 所述掩膜板为金属掩膜板。 进一步地， 所述掩膜板为石英板镀钥掩膜板。 进一步地， 所述第一轻掺杂区和/或所述第二轻掺杂区为磷掺杂N型轻掺杂区。 进一步地， 所述N型重掺杂区、源区和/或漏区为磷掺杂N型重掺杂区。 在本专利技术所提供的NMOS器件及其制作方法中，利用非对称轻掺杂NMOS器件结构，达到了与传统轻掺杂NMOS器件结构相同的抑制热载流子效应的能力，另外，还能够使得源漏串联电阻降低40%左右，线性区和饱和区的跨导分别增加50%和20%左右，获得较小的漏电流和较低功耗。利用本专利技术实施例中的NMOS器件制作的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)电路的速度和性能优于传统的轻惨杂金属-氧化层半导体场效晶体管。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术实施例NM0S器件的结构示意图； 图2为本专利技术实施例NM0S器件制作方法的步骤示意图； 图3为采用本专利技术实施例NM0S器件制作方法的一种NM0S双栅结构示意图； 图4为本专利技术实施例NM0S器件制作方法中的掩膜板结构示意图； 图5为本专利技术实施例NM0S器件制作方法中的掩膜板结构示意图； 图6为本专利技术实施例NM0S器件制作方法中离子注入示意图。 【具体实施方式】 为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 本专利技术实施例首先提供了一种NM0S器件，参见图1，包括: 第一栅极结构1和第二栅极结构2 ； 位于所述第一栅极结构1和第二栅极结构2之间且靠近所述第一栅极1结构处的第一轻掺杂区3，位于靠近所述第二栅极结构2处且在所述第二栅极结构2远离所述第一栅极结构1的一侧的第二轻掺杂区4，所述第一轻掺杂区3和所述第二轻掺杂区4为N型轻掺杂区； 位于所述第一轻掺杂区3和所述第二栅极结构2之间的N型重掺杂区5 ； 位于所述第一栅极结构1远离所述第二栅极结构2的一侧的源区6，位于所述第二轻掺杂区4远离所述第二栅极结构2的一侧的漏区7。 可选地，第一轻掺杂区3和/或第二轻掺杂区4可以为磷掺杂N型轻掺杂区。 可选地,Ν型重掺杂区5可以为磷掺杂Ν型重掺杂区,而源区6和/或漏区7也可以为磷掺杂Ν型重掺杂区。 本专利技术实施例还提供一种NM0S器件制作方法，参见图2，包括: 步骤201:提供半导体衬底。 步骤202:在所述半导体衬底表面形成栅氧化层，并形成包括第一栅极结构和第二栅极结构的多晶硅栅层。 步骤203:在所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处形成第一轻掺杂区，在靠近所述第二栅极结构且位于所述第二栅极结构远离所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NMOS器件，其特征在于，包括：第一栅极结构和第二栅极结构；位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区；位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区；位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。

【技术特征摘要】
1.一种NMOS器件，其特征在于，包括: 第一栅极结构和第二栅极结构； 位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区； 位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区； 位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。2.根据权利要求1所述的NMOS器件，其特征在于: 所述第一轻掺杂区和/或所述第二轻掺杂区为磷掺杂N型轻掺杂区。3.根据权利要求1所述的NMOS器件，其特征在于: 所述N型重掺杂区为磷掺杂N型重掺杂区。4.根据权利要求1至3中任一项所述的NMOS器件，其特征在于: 所述源区和/或漏区为磷掺杂N型重掺杂区。5.—种NMOS器件制作方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底表面形成栅氧化层，并形成包括第一栅极结构和第二栅极结构的多晶娃棚层； 在所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处形成第一轻掺杂区，在靠近所述第二栅极结构且位于所述第二栅极结构远离所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志强，康峰，张琨鹏，闵天圭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11