一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法技术

本发明专利技术公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法：一，在衬底上分别依次形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层；二、在粗化层上外延第一型电流扩展层的第一层结构；三、在第一型电流扩展层第一层结构上外延生长第一组超晶格；四、在第一组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第二层结构；五、重复三、四的结构，直至在第n-1组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第n层结构；六、在第一型电流扩展层第n层结构上接着外延生长第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层。本发明专利技术制作的发光二极管外延结构可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其是指一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法。
技术介绍
发光二极管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点，已被广泛应用，然而，现有技术中，对亮度较高、发光效率较好的发光二极管要求提高。采用金属有机化合物气相外延生长具有量子阱的外延结构能取得较高的内量子效率；而采用金属反射镜及表面粗化等倒置结构的芯片制作方法，明显地提升发光二极管的外量子效率。然而，采用倒置芯片结构会导致置于有源层底部的第一导电型反转至有源层的顶部。对于传统发光二极管结构的第一型电流扩展层一般采用Si元素作为掺杂源，而在发短波长光的发光二极管中，Si杂质显现出吸收部分有源层发出的光，置于有源层上的Si杂质吸光效应更明显。采用Te元素代替Si元素作为第一型电流扩展层掺杂能改善杂质的吸光，有效提高发光二极管的外量子效率。但是Te元素受限于自身的物理、化学特性，在外延生长过程Te杂质通入量大的情况下，极易导致外延层晶体质量变差。而Te杂质通入量小，存在电流扩展效果差的问题。有鉴于此，本专利技术为克服所述缺陷，提出一种提高Te杂质的并入效率，又能提高外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层，在粗化层外延生长结束前降低生长温度；步骤二、在粗化层上外延第一型电流扩展层的第一层结构；步骤三、在第一型电流扩展层第一层结构上外延生长第一组超晶格；步骤四、在第一组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第二层结构； 步骤五、重复步骤三、四的结构，直至在第n‑1组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第n层结构；步骤六、在第一型电流扩展层第n层结构生长结束后，停顿且提高反应室压力和加大载气流量，以及提高外延生长温度；步骤七、在第一型电流扩展层第n层结构上接着外延生长第一型限制层、有源层、第二...

【技术特征摘要】
1.一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层，在粗化层外延生长结束前降低生长温度；步骤二、在粗化层上外延第一型电流扩展层的第一层结构；步骤三、在第一型电流扩展层第一层结构上外延生长第一组超晶格；步骤四、在第一组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第二层结构；步骤五、重复步骤三、四的结构，直至在第n-1组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第n层结构；步骤六、在第一型电流扩展层第n层结构生长结束后，停顿且提高反应室压力和加大载气流量，以及提高外延生长温度；步骤七、在第一型电流扩展层第n层结构上接着外延生长第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层；第一型电流扩展层掺杂Te。2.如权利要求1所述的一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法，其特征在于：在粗化层外延生长结束前降低生长温度，降低外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，张永，卓祥景，姜伟，杨凯，蔡建九，白继锋，刘碧霞，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35