发光器件以及照明系统技术方案
【技术实现步骤摘要】
发光器件以及照明系统
本专利技术涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。
技术介绍
发光器件包括具有将电能转换为光能的特性的P-N结二极管。发光器件可以包括属于周期表上的第III族和第V族的化合物半导体。发光器件可通过调节化合物半导体的组分比率来表现出各种颜色。当向LED施加正向电压时，N层的电子与P层的空穴复合，使得可以生成与导带和价带之间的能隙对应的能量。该能量主要以热或光的形式发出。在LED的情况下，该能量形成为光的形式。例如，氮化物半导体表现出优异的热稳定性和宽的带隙能量(bandgapenergy)，使得氮化物半导体在光学器件和高功率电子器件的领域显著突出。特别地，采用氮化物半导体的蓝色、绿色和UV发光器件已经商业化并被广泛使用。近来，由于对高效率LED需求的增加，所以已经提出对改进发光强度的要求。根据相关技术，随着电流的增大，出现了电流拥挤现象，降低了光输出功率(Po)，这称为“电流拥挤(currentcrowding)现象”。因此，提高对改进电流散布和发光强度的要求以便于克服电流拥挤。另外，根据相关技术，表现出高迁移率的电子(热...
【技术保护点】
一种发光器件，包括：第一导电型半导体层；在所述第一导电型半导体层上的InxGa1‑xN层，其中，0<x≤1；在所述InxGa1‑xN层上的GaN层；在所述GaN层上的第一Aly1Ga1‑y1N层，其中，0<y1≤1；在所述第一Aly1Ga1‑y1N层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电型半导体层。
【技术特征摘要】
2013.06.18 KR 10-2013-00697821.一种发光器件，包括：第一导电型半导体层；在所述第一导电型半导体层上的InxGa1-xN层，其中，0＜x≤1；在所述InxGa1-xN层上的GaN层；在所述GaN层上的第一Aly1Ga1-y1N层，其中，0＜y1≤1；在所述第一Aly1Ga1-y1N层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电型半导体层，介于所述第一Aly1Ga1-y1N层与所述有源层之间的GaN基超晶格层，所述GaN基超晶格层包括设置在所述第一导电型半导体层上的第二组GaN基超晶格层，所述GaN基超晶格层还包括设置在所述第二组GaN基超晶格层上的第三组GaN基超晶格层，其中所述第三组GaN基超晶格层包括第三组阱和第三组势垒，其中所述第三组势垒的厚度厚于其他组的势垒和阱的厚度，所述第三组势垒掺杂有第一导电元素以改进电子注入效率。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述InxGa1-xN层中包含的铟的浓度为2％至15％。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述GaN层的带隙能量高于所述InxGa1-xN层的带隙能量。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述GaN层的带隙能量低于所述第一Aly1Ga1-y1N层的带隙能量。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述InxGa1-xN层的带隙能量高于所述有源层的量子阱的带隙能量。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一Aly1Ga1-y1N层的带隙能量高于所述有源层的量子势垒的带隙能量。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，还包括介于所述第一Aly1Ga1-y1N层与所述有源层之间的第二Aly2Ga1-y2N层，其中，0＜y2≤1。8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第二Aly2Ga1-y2N层的带隙能量高于所述第一Aly1Ga1-y1N层的带隙能量。9.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，还包括第二浓度第一导电型半导体层，所述第二浓度第一导电型半导体层介于所述第一导电型半导体层与所述InxGa1-xN层之间，并且所述第二浓度第一导电型半导体层具有相比所述第一导电型半导体层的第一导电型浓度水平更高的第一导电型浓度水平。10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第二浓度第一导电型半导体层的带隙能量高于所述InxGa1-xN层的带隙能量。11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述GaN基超晶格层具有在从所述第一导电型半导体层朝向所述有源层的方向上减小的带隙能...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔恩实，金东旭，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。