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本发明公开了一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。该发光器件包括：第一导电型半导体层(112)；在所述第一导电型半导体层(112)上的InxGa1-xN层(151)(其中，0<x≤1)；在所述InxGa1-xN...
该专利属于LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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