一种GaN基LED外延片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种GaN基LED外延片，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层上的发光层；形成在所述发光层上的P型GaN层；形成在所述P型GaN层上的第一超晶格接触层，所述第一超晶格接触层为InGaN/AlGaN超晶格结构。该GaN基LED外延片可降低P型GaN层的欧姆接触电阻，从而降低了LED芯片的电压。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种GaN基LED外延片，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层上的发光层；形成在所述发光层上的P型GaN层；形成在所述P型GaN层上的第一超晶格接触层，所述第一超晶格接触层为InGaN/AlGaN超晶格结构。该GaN基LED外延片可降低P型GaN层的欧姆接触电阻，从而降低了LED芯片的电压。【专利说明】—种GaN基LED外延片
本技术属于半导体领域，尤其涉及一种GaN基LED外延片。
技术介绍
随着发光二极管LED产业的不断发展，LED凭借其节能环保的优势成为新一代的照明光源，同时LED器件的性能上也不断向亮度高、可靠性好的方向发展。外延片的电压性能能够反映LED器件的可靠性，外延片的电压性能与外延生长结构和接触方式有关。LED器件采用金属与半导体接触，属于欧姆接触，降低LED器件的欧姆电阻的意义在于降低寄生压降，提高器件的可靠性及其寿命，这对于半导体器件的性能研究有着极其重要的意义。 市场上的LED多数为氮化物LED，目前有采用一些方法改进III族氮化物欧姆接触特性，比如在半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层上的发光层；形成在发光层上的电子阻挡层；形成在所述电子阻挡层上的P型GaN层；形成在所述P型GaN 层上的第一超晶格接触层，所述第一超晶格接触层为InGaN/AlGaN超晶格结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明驰，
申请(专利权)人：惠州比亚迪实业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44