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本实用新型提供了一种GaN基LED外延片，包括：衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层上的发光层；形成在所述发光层上的P型GaN层；形成在所述P型GaN层上的第一超晶格接触层，所述第一超晶格...
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