【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长
,具体地说是在真空条件下采用坩埚下降法制备大尺寸方形氟化钙晶体的方法。
技术介绍
在目前氟化钙晶体应用领域越来越广越来越深,大尺寸方形晶体需求量越来越大,由于大尺寸方形氟化钙晶体成品现在基本上都采用圆形棒料切取,料损非常大,加工难度更大,加工成品率非常低,同时增加了晶体生长难度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种大尺寸方形氟化钙晶体的制备方法,解决棒料切割损耗大,加工难度大的问题。为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案为:一种大尺寸方形氟化钙晶体的制备方法,包括以下步骤:称取纯度为99%的氟化钙矿石原料和1/100比例重量的除氧剂混合均匀;放入真空干燥箱内,温度保持200±10℃干燥时间12小时;取出后装入方形石墨坩埚,然后将方形石墨坩埚置于生长炉内的坩埚托盘上;抽真空至10-3 Pa以上,以100℃/h升温到800℃,保持2小时使氟化铅反应并发挥完全,再以50℃/h升温到1300℃,再以30℃/h升温到熔点1370℃,使原料完全融化并保持4小时;坩埚下降,晶体生长,坩埚下降速率在1-3mm/h之间;待生长结束后,将坩埚回升至原始位置,并以5-20℃/h的速率降至室温;当晶体温度降至室温24小时以后,取出晶体。本专利技术的有益效果在于:本专利技术采用方形石墨坩埚生长的方形氟化钙晶体,不但提高了方形晶体棒料的使用率,提高了晶体加工成品率,降低了晶体加工难度,而且降低了晶体的生长难度。附图说明 ...
【技术保护点】
一种大尺寸方形氟化钙晶体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)称取纯度为99%的氟化钙矿石原料和1/100比例重量的除氧剂混合均匀;(2)放入真空干燥箱内,温度保持200±10℃干燥时间12小时;(3)取出后装入方形石墨坩埚,然后将方形石墨坩埚置于生长炉内的坩埚托盘上;(4)抽真空至10‑3 Pa以上,以100℃/h升温到800℃,保持2小时使氟化铅反应并发挥完全,再以50℃/h升温到1300℃,再以30℃/h升温到熔点1370℃,使原料完全融化并保持4小时;(5)坩埚下降,晶体生长,坩埚下降速率在1‑3mm/h之间;(6)待生长结束后,将坩埚回升至原始位置,并以5‑20℃/h的速率降至室温;(7)当晶体温度降至室温24小时以后,取出晶体。
【技术特征摘要】
1.一种大尺寸方形氟化钙晶体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)称取纯度为99%的氟化钙矿石原料和1/100比例重量的除氧剂混合均匀;
(2)放入真空干燥箱内,温度保持200±10℃干燥时间12小时;
(3)取出后装入方形石墨坩埚,然后将方形石墨坩埚置于生长炉内的坩埚托盘上;
(4)抽真空至10-3 Pa以上,以100℃/h升...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭宗海,
申请(专利权)人:秦皇岛本征晶体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:河北;13
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。