【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种IGZO靶材专用氧化镓粉末的制备方法，该方法是通过氧化喷嘴实现金属镓的氧化和粉碎，所述的氧化喷嘴中央设有圆形金属液孔，圆形金属液孔四周均匀分布有4个气流孔，进行金属镓的氧化和粉碎时，先将金属镓加热后从圆形金属液孔流出，同时，从所述的4个气流孔中同时加压喷出热空气，液态金属镓在气流交汇处被气流冲击、剪切，同时进行氧化反应，形成超细氧化镓粉末；该制备方法操作简单、低成本、不污染环境；制备的氧化镓粉末纯度高、粒径小且分布均匀，满足IGZO靶材的制备要求。【专利说明】 —种IGZO靶材专用氧化镓粉末的制备方法
本专利技术涉及一种IGZO靶材专用氧化镓粉末的制备方法，属于超细氧化镓粉末材料
。
技术介绍
氧化镓是一种透明传导氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景，主要用于生产发光材料，晶体材料，催化剂及其他制品。IGZ0(Indium Gallium ZincOxide)为氧化铟镓锌的缩写，它是一种薄膜电晶体技术，是指在TFT-1XD主动层之上，打上一层金属氧化物。IGZO材料是用于新一代薄膜晶体...
【技术保护点】
一种IGZO靶材专用氧化镓粉末的制备方法，其特征在于，通过氧化喷嘴实现金属镓的氧化和粉碎，所述的氧化喷嘴中央设有圆形金属液孔，圆形金属液孔四周均匀分布有4个气流孔，所述气流孔沿圆形金属液孔轴心20～40°夹角方向设置；进行金属镓的氧化和粉碎时，将金属镓加热到250～350℃后，从圆形金属液孔流出，同时，从所述的4个气流孔中同时以5～10MPa的压力喷出250～350℃热空气，液态金属镓在气流交汇处被气流冲击、剪切，同时进行氧化反应，形成平均粒径为2.5～3μm的氧化镓粉末。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵科湘，
申请(专利权)人：株洲科能新材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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