一种微纳米级羟基硅酸镁的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种微纳米级羟基硅酸镁的制备方法，规模化生产优质微纳米级羟基硅酸镁粉体产品。该方法步骤：将氢氧化钠配成0.001～2mol/L的溶液；将纳米氧化镁和纳米二氧化硅按照摩尔比为1∶0.5～2的比例在容器中混合，在容器中加入配制的氢氧化钠溶液，移至反应釜中，在温度为170℃～300℃的条件下，反应24h～96h；采用纯水将反应后的混合溶液过滤，将过滤后的滤饼在50℃～100℃的条件下干燥，得到微纳米级羟基硅酸镁粉体。本发明专利技术利用前驱体纳米氧化镁和纳米二氧化硅，在强碱的情况下利用高温水热法合成微纳米级羟基硅酸镁。羟基硅酸镁粉体片成厚度60nm～20um。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微纳米级羟基硅酸镁的制备方法，其特征是该方法包括以下步骤：a.将氢氧化钠配成0.001～2mol/L的溶液；b.将纳米氧化镁和纳米二氧化硅按照摩尔比为1∶0.5～2的比例在容器中混合，在容器中加入步骤a中配制的氢氧化钠溶液，加入量为容器体积的50％～99％，在容器中充分混合后，移至反应釜中，在温度为170℃～300℃的条件下，反应24h～96h；c.采用纯水将反应后的混合溶液过滤，直至滤液呈中性，将过滤后的滤饼在50℃～100℃的条件下干燥，得到微纳米级羟基硅酸镁粉体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王开明，郑淑敏，
申请(专利权)人：辽宁科技大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21