本实用新型专利技术公开了一种蒸发源装置和真空蒸镀设备，该蒸发源装置包括：蒸发腔室和对蒸发材料进行加热并将加热后的蒸发材料传输至所述蒸发腔室内的进料腔室，所述蒸发腔室与所述进料腔室连接，在进行蒸镀过程中，可根据蒸发腔室内的蒸发材料的余量和蒸发速率，通过进料腔室对蒸发腔室进行加料，在加料过程中无须进行开腔处理，使得真空蒸镀设备能够连续地、长时间地进行蒸镀，提高了真空蒸镀设备的生产效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种蒸发源装置和真空蒸镀设备，该蒸发源装置包括：蒸发腔室和对蒸发材料进行加热并将加热后的蒸发材料传输至所述蒸发腔室内的进料腔室，所述蒸发腔室与所述进料腔室连接，在进行蒸镀过程中，可根据蒸发腔室内的蒸发材料的余量和蒸发速率，通过进料腔室对蒸发腔室进行加料，在加料过程中无须进行开腔处理，使得真空蒸镀设备能够连续地、长时间地进行蒸镀，提高了真空蒸镀设备的生产效率。【专利说明】蒸发源装置和真空蒸镀设备
本技术涉及薄膜形成
，特别涉及蒸发源装置和真空蒸镀设备。
技术介绍
目前，真空蒸发镀膜技术凭借其镀膜原理简单、蒸镀设备占地少、操作安全性能高、生产过程没有污染等特点，广泛地应用于0LED、半导体芯片、太阳能电池等制造领域。 其中，真空蒸镀设备包括:真空腔室和位于真空腔室内的蒸发源装置。图1为现有技术中的蒸发源装置的截面图，如图1所示，该蒸发源装置包括:蒸发腔室1，蒸发腔室I为圆柱形或长方体形，该蒸发腔室I包括:蒸发冷却层101和位于所述蒸发冷却层101内侧的蒸发加热层102。在蒸镀过程中，蒸发材料5位于蒸发腔室I的底部，蒸发加热层102对蒸发材料5进行加热，使得蒸发材料5蒸发、挥发或升华为镀膜气体并通过蒸发腔室I的开口部6溢出蒸发源，镀膜气体到达待蒸镀基板表面并沉积为薄膜。 在实际的生产过程中，在蒸镀基板处设置有石英晶体微天平，该石英晶体微天平可监控镀膜速率和蒸镀基板表面的膜厚，根据监控的镀膜速率情况，可利用蒸发冷却层和蒸发加热层来控制蒸发腔室的温度，从而获得均匀的蒸发速率，进而获得均匀的镀膜速率。 但是，由于蒸发腔室的容积有限，当蒸发腔室内的蒸发材料全部消耗完，需要对真空蒸镀设备进行破真空和开腔加料等步骤。其中，在开腔加料过程中需要依次进行蒸发源降温、添加蒸发材料、蒸发源升温和调节蒸镀速度等步骤，使得整个蒸镀过程不连续，生产效率较低，难以满足大尺寸基板大规模量产的需求。
技术实现思路
本技术提供一种蒸发源装置和真空蒸镀设备，该蒸发源装置在进行加料过程中无需对真空蒸镀设备进行破真空和开腔加料等步骤，使得真空蒸镀设备能够连续地、长时间地进行蒸镀，提高了真空蒸镀设备的生产效率。 为实现上述目的，本技术提供一种蒸发源装置，该蒸发源装置包括:蒸发腔室和对蒸发材料进行加热并将加热后的蒸发材料传输至所述蒸发腔室内的进料腔室，所述蒸发腔室与所述进料腔室连接。 可选地，所述蒸发腔室的侧壁上设置有通孔，所述进料腔室通过所述通孔与所述蒸发腔室连接。 可选地，所述进料腔室包括:对蒸发材料进行预先存储的储料腔室和对蒸发材料进行预先加热的加热腔室，所述加热腔室的一端与所述储料腔室连接，所述加热腔室的另一端与所述蒸发腔室连接。 可选地，所述加热腔室包括:第一腔体和设置于第一腔体内侧的第一加热层。 可选地，所述进料腔室还包括:第一隔离装置，所述第一隔离装置设置于所述储料腔室与所述加热腔室之间。 可选地，所述加热腔室内设置有至少一个第二隔离装置，全部所述第二隔离装置将所述加热腔室分割为多个加热子腔室。 可选地，所述储料腔室的截面形状为倒梯形。 可选地，所述蒸发腔室与所述进料腔室之间还设置有进料管道，所述进料腔室内的蒸发材料经过所述进料管道进入所述蒸发腔室。 可选地，所述进料腔室的数量为多个。 为实现上述目的，本技术提供一种真空蒸镀设备，该真空蒸镀设备包括:蒸发源装置，所述蒸发源装置采用上述的蒸发源装置。 本技术具有以下有益效果:该蒸发源装置包括蒸发腔室和对蒸发材料进行加热并将加热后的蒸发材料传输至所述蒸发腔室内的进料腔室，在进行蒸镀过程中，可根据蒸发腔室内的蒸发材料的余量和蒸发速率，通过进料腔室对蒸发腔室进行加料，在加料过程中无须进行开腔处理，使得真空蒸镀设备能够连续地、长时间地进行蒸镀，提高了真空蒸镀设备的生产效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有技术中的蒸发源装置的截面图； 图2为本技术实施例一提供的蒸发源装置的截面图； 图3为图2中进料腔室和进料管道的截面图。 【具体实施方式】 为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术提供的蒸发源装置和真空蒸镀设备进行详细描述。 实施例一 图2为本技术实施例一提供的蒸发源装置的截面图，图3为图2中进料腔室和进料管道的截面图，如图2和图3所示，该蒸发源装置包括:蒸发腔室I和对蒸发材料5进行加热并将加热后的蒸发材料5传输至蒸发腔室I内的进料腔室，蒸发腔室I与进料腔室连接，其中蒸发腔室I包括:蒸发冷却层101和位于蒸发冷却层101内侧的蒸发加热层102。 当蒸发腔室I中的蒸发材料5不够时，可通过进料腔室对蒸发腔室I进行加料。具体地，首先，进料腔室将蒸发材料5进行预先加热处理，使得进料腔室中待进入蒸发腔室I的蒸发材料5的温度与蒸发腔室I内的蒸发材料5的温度相近或相等。然后，进料腔室将进料腔室中加热完毕的蒸发材料5传输至蒸发腔室I中，从而完成了对蒸发腔室I的加料处理。 其中，蒸发材料5可为颗粒状或者粉末状的材料。 本实施例的技术方案中，整个加料过程无需进行开腔处理，从而可省去蒸发源降温、添加蒸发材料、蒸发源升温和调节蒸镀速度等步骤，使得蒸发腔室I实现了连续工作。 可选地，蒸发腔室I的侧壁上设置有通孔7，进料腔室通过通孔7与蒸发腔室I连接。具体地，在蒸发冷却层101和蒸发加热层102上打孔，进料腔室通过蒸发冷却层101上的孔和蒸发加热层102上的孔与蒸发腔室I连接。进料腔室位于蒸发腔室I的侧面，进料腔室内的蒸发材料5可在重力的作用下通过通孔进入至蒸发腔室I的底部。 可选地，进料腔室包括:对蒸发材料5进行预先存储的储料腔室2和对蒸发材料5进行预先加热的加热腔室3，加热腔室3的一端与储料腔室2连接，加热腔室3的另一端与蒸发腔室I连接。储料腔室2包括:第二腔体201和第二加热层202，加热腔室3包括:第一腔体301和设置于第一腔体301内侧的第一加热层302。 其中，储料腔室2用于对蒸发材料5进行预先存储，若蒸发腔室I需要进行加料，则储料腔室2将部分的蒸发材料5传输至加热腔室3，第一加热层302对第一腔体301内接收到的蒸发材料5进行预先加热。为了第一加热层302的加热时间，可先通过第二加热层202可对第二腔体201内预先存储的蒸发材料5进行提前加热，使得第二腔体201内的蒸发材料5维持在一定的温度，需要说明的是，第二腔体201内的蒸发材料5的温度小于第一腔体301内蒸发材料5的温度。 可选地，进料腔室还包括:第一隔离装置8，第一隔离装置8设置于储料腔室2与加热腔室3之间。通过在储料腔室2与加热腔室3之间设置第一隔离装置8可控制进入加热腔室3内的蒸发材料5的量，从而控制进入蒸发腔室I的蒸发材料5的量。具体地，第一隔离装置8包括:隔离板，隔离板上设置有可打开或闭合的通孔，当通孔打开时，蒸发材料5通过通孔进入至加热腔室3中。较优地，第一隔离装置8由隔热材料构成，第一隔离装置8不但能控制进入加热腔室3的蒸发材料5的量，而且可有效避免储料腔室2内温度过高造成蒸发材料5变性的现象。 可选地，加热腔室3内设置有至少一个第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种蒸发源装置，其特征在于，包括：蒸发腔室和对蒸发材料进行加热并将加热后的蒸发材料传输至所述蒸发腔室内的进料腔室，所述蒸发腔室与所述进料腔室连接； 所述蒸发腔室的侧壁上设置有通孔，所述进料腔室通过所述通孔与所述蒸发腔室连接； 所述进料腔室包括：对蒸发材料进行预先存储的储料腔室和对蒸发材料进行预先加热的加热腔室，所述加热腔室的一端与所述储料腔室连接，所述加热腔室的另一端与所述蒸发腔室连接； 所述加热腔室包括：第一腔体和设置于第一腔体内侧的第一加热层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沐俊应，马大伟，乔永康，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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