N型层粗化的LED生长方法技术

本发明专利技术实施例提供一种N型层粗化的LED生长方法。该方法包括：在衬底的上表面通入金属源和氨气，通过所述金属源和氨气反应，在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层；在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层；在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层，其中，所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑，所述V形坑作为粗化的一种形式存在；采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状，在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层，P型层，从而形成完整的LED结构。本实施例无需二次生长，无需对P型层进行改造，不会对芯片制程产生过大影响。

【技术实现步骤摘要】
N型层粗化的LED生长方法
本专利技术实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及一种N型层粗化的LED生长方法。
技术介绍
以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带材料，是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料，GaN可以用来制作发光二极管、激光器、探测器、高频高功率晶体管等电子器件。目前，用GaN材料生产发光二级管(LightEmittingDiode，简称LED)已经比较成熟，且运用面越来越广泛，特别是在景观照明，路灯照明，背光源，室内照明等多个领域均有很好表现。但随着LED越来越广泛的使用，LED暴露出来的问题也愈加突出：对照明领域的应用来说，由于亮度的提升不但能满足更加苛刻的使用环境，还能够降低单位流明光的使用成本，因此目前对亮度的需求越来越强烈。亮度主要取决于LED的外量子效率(Externalquantumefficiency，简称EQE)。而LED的EQE取决于内量子效率(Internalquantumefficiency，简称IQE)和光提取效率(LightExtractionEffieieney，简称LEE)的乘积，提高外量子效率的方法大致可以从提高IQE和LEE两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型层粗化的LED生长方法，其特征在于，包括：在衬底的上表面通入金属源和氨气，通过所述金属源和氨气反应，在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层；在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层；在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层，其中，所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑，所述V形坑作为粗化的一种形式存在；采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状，在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层，P型层，从而形成完整的LED结构。

【技术特征摘要】
1.一种N型层粗化的LED生长方法，其特征在于，包括：在衬底的上表面通入金属源和氨气，通过所述金属源和氨气反应，在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层；在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层；在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层，其中，所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑，所述V形坑作为粗化的一种形式存在，其中所述重掺杂的N型层的掺杂浓度在1020的数量级；采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状，在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层、P型层，从而形成完整的LED结构。2.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法，其特征在于：所述衬底的材质为蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍、铬中的任一种。3.根据权利要求1所述的N型层粗化的LED生长方法，其特征在于：所述N型层粗化的LED生长方法可通过如下任一生长设备实现...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小辉，马刚，蔡武，周德保，康建，梁旭东，
申请(专利权)人：圆融光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34