【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了生长在W衬底上的LED外延片，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本专利技术还公开了上述生长在W衬底上的LED外延片的制备方法。本专利技术的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，制备得到的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。【专利说明】生长在W衬底上的LED外延片及制备方法
本专利技术涉及LED外延片及制备方法，特别涉及一种生长在金属钨（W)衬底上的LED 外延片及制备方法。
技术介绍
发光二极管（LED)作为一种新型固体照明光源和绿色光源，具有体积小、耗电量 低、环保、使用寿命长、高亮度、低热量以及多彩等突出特点，在室外照明、商业照明以及装 饰工程等领域都具有广泛的应用。当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能 源、减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础...
【技术保护点】
生长在W衬底上的LED外延片，其特征在于，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜； 所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在500～700℃生长的非掺杂GaN层；所述n型掺杂GaN薄膜为在700～800℃生长的n型掺杂GaN薄膜；所述InGaN/GaN量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱；所述p型掺杂GaN薄膜为在700～800℃生长的p型掺杂GaN薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，王文樑，刘作莲，杨为家，林云昊，周仕忠，钱慧荣，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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