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本发明实施例提供一种N型层粗化的LED生长方法。该方法包括：在衬底的上表面通入金属源和氨气，通过所述金属源和氨气反应，在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层；在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层；在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层，...
该专利属于圆融光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆融光电科技有限公司授权不得商用。

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