【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，其特征是将激光引入到传统CVD方法制备碳化硅外延膜即SiC薄膜，通过控制激光的输出功率，修饰基板表面形成纳米级微台阶，为薄膜形成初期提供大量成核点；同时激光也为薄膜的生长提供有效的光子活化和加热方式，使SiC薄膜的生长速度大幅度提高；通过控制激光光斑大小得到1-4英寸的SiC薄膜制品。本专利技术由于利用激光的光、热效应促使前驱体反应，使前驱体利用率和反应速率大幅度提高，在制备大尺寸3C-SiC薄膜的同时又保证了薄膜的均匀性。【专利说明】
本专利技术涉及一种外延生长碳化硅膜的技术，特别是在较低的温度下快速生长碳化 硅膜，属于功能薄膜材料的制备领域。
技术介绍
在半导体材料的发展中，硅（Si)和砷化镓（GaAs)分别是第一代、第二代半导体的 代表。随着微电子技术和光电子的技术的发展，常规半导体如Si、GaAs已面临严峻挑战，人 们对能在极端条件下工作的电子器件的需求越来越迫切。碳化硅（SiC)因其禁带宽度大、 热导率高、击穿电压高、电子饱和漂移速率大、服役温度高和化学稳定性好等特性，在制作 高温、高频、高功...
【技术保护点】
一种快速制备3C‑SiC外延膜方法，其特征是将激光引入到传统CVD方法制备碳化硅外延膜即SiC薄膜，通过控制激光的输出功率，修饰基板表面形成纳米级微台阶，为薄膜形成初期提供大量成核点；同时激光也为薄膜的生长提供有效的光子活化和加热方式，使SiC薄膜的生长速度大幅度提高；通过控制激光光斑大小得到1‑4英寸的SiC薄膜制品。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：涂溶，孙清云，章嵩，张联盟，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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