一种像素结构、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种像素结构、阵列基板和显示装置，其中像素结构中包括同层不相连的第一信号电极和第二信号电极以及位于第一信号电极和第二信号电极图层上方的绝缘层，且绝缘层上方还设置有保护层。通过与像素电极同层的保护层遮住绝缘层，以便进行像素电极构图的刻蚀过程对第一信号电极与第二信号电极之间第一过孔位置处的绝缘层进行保护，防止对钝化层刻蚀过程中由于过刻蚀造成本该保留的绝缘层被刻蚀掉，从而避免位于同层的不同金属电极之间被钝化层上方的第二公共电极导通而发生短路的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示
，特别涉及一种像素结构、阵列基板和显示装置。
技术介绍
在液晶显示屏领域的ADS(Advanced-super Dimension Switch，高级超维场转换)显示技术中，最常见的5Mask和4Mask工艺制程，其第一公共电极(即COM电极)都是单层的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)COM电极结构，电阻比较大。以5Mask工艺产品为例，得到的像素结构平面图如图1所示，对构成TFT的源极、漏极和栅极的放大图如图2所示，像素结构的截面图如图3所示。其中第二公共电极09为狭缝状，参见图2，图2中还有与图3中栅极02连接的栅线14，以及与图3中源极07连接的数据线15。在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示)领域中，In-Cell技术和High-Resolution(高分辨率)技术会经常采用Mo层公共电极和ITO层公共电极相结合的方式做COM电极，现有技术中为了减小单层的ITO层公共电极的电阻，在进行像素结构设计时，一般在栅线(Gate)层除了设计栅极之外，还设计有第一公共电极(Mo层公共电极)，如图1所示。Mo层公共电极通过PVX(钝化层)上的过孔与ITO层公共电极导通，双层结构可以减小COM电极层的电阻。但是由于Mo层公共电极和Mo层栅极相隔较近，间距较小，导通ITO层公共电极和Mo层公共电极的PVX孔关键尺寸偏差(即CD Bias)较大，刻蚀时容易刻蚀到Mo层的栅极，从而导致Mo层公共电极与Mo层栅极之间很容易通过ITO层COM公共电极导通，从而引发短路问题。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是如何避免同层的不同电极被短路的问题。(二)技术方案为解决上述技术问题，本技术提供了一种像素结构，包括同层不相连的第一信号电极和第二信号电极以及位于第一信号电极和第二信号电极图层上方的绝缘层，且绝缘层上方对应第一信号电极与第二信号电极之间还设置有保护层。进一步地，所述第一信号电极和第二信号电极均为导电金属。进一步地，所述第一信号电极为栅极，第二信号电极为第一公共电极，所述绝缘层为栅绝缘层。进一步地，所述栅极与第一公共电极之间具有第一过孔，栅绝缘层覆盖在栅极、第一公共电极以及第一过孔的上方，栅绝缘层上还设置有半导体层以及像素电极。进一步地，所述保护层设置在所述栅绝缘层上对应第一过孔的位置，所述保护层与像素电极同层不相连。进一步地，所述半导体层上方还设置有源极和漏极，源极和漏极之间的半导体层形成沟道。进一步地，所述源极、漏极、保护层、像素电极以及裸露的栅绝缘层上方还设置有钝化层。进一步地，所述钝化层上方还设置有第二公共电极，所述第二公共电极通过第二过孔与第一公共电极连接。为解决上述技术问题，本技术还提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及衬底基板上的像素结构，所述像素结构为权利要求以上所述的像素结构。为解决上述技术问题，本技术还提供了一种显示装置，包括以上所述的阵列基板。(三)有益效果本技术实施例提供的一种像素结构，其中像素结构中包括同层不相连的第一信号电极和第二信号电极以及位于第一信号电极和第二信号电极图层上方的绝缘层，且绝缘层上方还设置有保护层。通过与像素电极同层的保护层遮住绝缘层，以便进行像素电极构图的刻蚀过程对第一信号电极与第二信号电极之间第一过孔位置处的绝缘层进行保护，防止对钝化层刻蚀过程中由于过刻蚀造成本该保留的绝缘层被刻蚀掉，从而避免位于同层的不同金属电极之间被钝化层上方的第二公共电极导通而发生短路的问题。同时，本技术还提供了基于上述像素结构的阵列基板和显示装置。附图说明图1是现有技术中5Mask工艺制作得到的像素结构的平面图；图2是对图1中构成TFT的源极、漏极和栅极的放大图；图3是图1中像素结构的截面图；图4是本技术实施例中提供的像素结构的平面图；图5是本技术实施例中对图4中构成TFT的源极、漏极和栅极的放大图；图6是本技术实施例中像素结构的截面图。附图标记：01、衬底基板；02、栅极；03、栅绝缘层；04、半导体层；05、像素电极；06、漏极；07、源极；08、钝化层；09、第二公共电极(ITO层公共电极)；10、第二过孔；11、第一过孔；12、第一公共电极(Mo层公共电极)；13、保护层；14、栅线；15、数据线。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本实用新型的范围。本技术实施例提供了一种像素结构，包括同层不相连的第一信号电极和第二信号电极以及位于第一信号电极和第二信号电极图层上方的绝缘层，且绝缘层上方对应第一信号电极与第二信号电极之间还设置有保护层。其中第一信号电极和第二信号电极均为导电金属。上述像素结构中的第一信号电极和第二信号电极属于同层设置的不同信号电极，且不相连，两者为同一材料经过一次沉积过程形成，还需要在绝缘层上设置保护层，通过保护层保护刻蚀过程中对绝缘层的破坏，从而可以避免这两个信号电极之间导通造成的短路。优选地，本实施例中以同层的不同金属电极：栅极和第一公共电极为例，其中第一信号电极为栅极，第二信号电极为第一公共电极，其中的绝缘层为栅绝缘层。本实施例中像素结构的平面图如图4所示，对构成TFT的源极、漏极和栅极的放大图如图5所示，图5中在第一公共电极12于栅线14之间块状的结构为保护层13，相对应的截面图如图6所示。具体的，栅极为Mo金属沉积形成，第一公共电极12为Mo层公共电极。本实施例中的栅极02与第一公共电极12同层设置，即都是Mo金属层经过刻蚀而成，且栅极02与第一公共电极12之间具有第一过孔11，栅绝缘层03覆盖在栅极02、第一公共电极12以及第一过孔11的上方。栅绝缘层03上还设置有半导体层04以及像素电极05。进一步地，本实施例中保护层13设置在栅绝缘层03上对应第一过孔的位置，且保护层13与像素电极05同层不相连。进一步地，本实施例中半导体层04上方还设置有源极07和漏极06，源极07和漏极06之间的半导体层04形成沟道。进一步地，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括同层不相连的第一信号电极和第二信号电极以及位于第一信号电极和第二信号电极图层上方的绝缘层，且绝缘层上方对应第一信号电极与第二信号电极之间还设置有保护层。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括同层不相连的第一信号电
极和第二信号电极以及位于第一信号电极和第二信号电极图层上方
的绝缘层，且绝缘层上方对应第一信号电极与第二信号电极之间还设
置有保护层。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一信号电
极和第二信号电极均为导电金属。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一信号电
极为栅极，第二信号电极为第一公共电极，所述绝缘层为栅绝缘层。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述栅极与第一
公共电极之间具有第一过孔，栅绝缘层覆盖在栅极、第一公共电极以
及第一过孔的上方，栅绝缘层上还设置有半导体层以及像素电极。
5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述保护层设置
在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李少英，黄炜赟，董向丹，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51