一种氮化镓器件的加工方法和氮化镓器件技术

本发明专利技术实施例提供一种氮化镓器件的加工方法，该加工方法为：在氮化镓器件的表面垫积一层氧化层，所述氧化层的材质为电绝缘材质，对所述氧化层进行刻蚀，以保留所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化层、并去除掉所述台阶的侧壁之外的其他部分的氧化层。本发明专利技术还公开了一种氮化镓器件。采用本发明专利技术，可以完全的刻蚀掉上述台阶的前后两侧的金属层，避免金属刻蚀中台阶的前后两侧的侧壁金属残留，防止氮化镓器件的源级（S）和漏极（D）的金属短接互连，并有效的隔离氮化镓器件的栅极金属和氮化镓器件的导电沟道、防止氮化镓器件漏电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种氮化镓器件的加工方法和氮化镓器件。
技术介绍
目前，国际半导体产业已经进入以氮化镓（GaN）材料、碳化硅（SIC）材料和金刚石等为代表的第三代宽禁带半导体时代。氮化镓材料具有宽的直接带隙，强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。绝大部分氮化镓器件的制作工艺为：在衬底材料上外延生长成氮化铝晶核（AlN nucleation），在成核层上生长氮化镓外延，在氮化镓外延生长氮化镓层，然后在氮化镓层上生长一层硅搀杂的氮化铝镓（AlGaN），在氮化铝镓和氮化镓的沟道之间形成二维电子气和异质结沟道，最后用一薄的钝化层保护二维电子气和异质结沟道的表面。在制作以氮化镓材料为基础的二极管、晶体管和光探测器等氮化镓器件的过程中，需要对氮化镓器件进行刻蚀。刻蚀技术一般分为：湿法刻蚀技术和干法刻蚀技术。湿法刻蚀利用通过化学溶液的化学反应将不需要的薄膜去掉的图形转移本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓器件的加工方法，其特征在于，该方法包括：在所述氮化镓器件的表面垫积一层氧化层，所述氧化层的材质为电绝缘材质；对所述氧化层进行刻蚀，以保留所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化层、并去除掉所述台阶的侧壁之外的其他部分的氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓器件的加工方法，其特征在于，该方法包括：
在所述氮化镓器件的表面垫积一层氧化层，所述氧化层的材质为电绝缘材
质；
对所述氧化层进行刻蚀，以保留所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化
层、并去除掉所述台阶的侧壁之外的其他部分的氧化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述氧化层进行刻蚀，
以保留所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化层、并去除掉所述台阶的侧壁之
外的其他部分的氧化层之后，进一步包括：
在所述氮化镓器件的表面垫积一层金属层；
对所述金属层进行刻蚀，以保留所述台阶的左右两侧的金属层、并去除掉
所述台阶的前后两侧的金属层，将所述台阶的左右两侧中一侧的金属层作为所
述氮化镓器件的源极、另一侧的金属层作为所述氮化镓器件的漏极。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在对所述金属层进行刻蚀，
以保留所述台阶的左右两侧的金属层，并去除所述台阶的前后...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建国，张枫，刘蓬，谢春诚，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11