一种封装导线材料结构及其加工方法技术

技术编号:10619764 阅读:163 留言:0更新日期:2014-11-06 12:55
本发明专利技术公开一种封装导线材料结构,由中间线芯和表面镀层组成,中间线芯为钨丝,表面镀层为金。加工方法是:模压,将钨粉挤压成一整根棒;预烧结,将棒放入氢气烧结炉中,高温使金属颗粒凝聚,致密性可到达约60%~70%;在垂熔炉中完全烧结,使钨棒的致密性达到约85%至95%,棒的内部钨晶体开始形成;断电,冷却;挤锻压加工,采用锤锻机捶打,直到直径达到6350到2540微米;再通过拉丝模拉拔,使其直径达到12.7微米,制成钨丝;钨丝镀金:镀金厚度约为2微米,制成具有内钨外金结构的封装导线材料。本发明专利技术避开了使用铜所衍生的问题,并减少金的使用量,降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种封装导线材料结构及其加工方法
本专利技术涉及半导体及LED后段封装技术,特别与一种封装导线材料的结构及其加工方法有关。
技术介绍
集成电路(IntegratedCircuit;IC)封装内部接合方式,可分为打线接合、卷带式自动接合与覆晶接合,其中,打线接合由于制程成熟、成本低、布线弹性高,是目前应用最广的接合技术,约占所有封装产品90%。打线接合使用的导线,分为金线、铜线与铝线,目前以金线为主流,原因在于金具备稳定性高、质软、延展性佳等物理特性优势,用于IC封装打线接合时,其良率、生产效率及线径微细化等表现,皆相当不错。然而,自1999年来,国际金价即一路走高,甚至在2009年金价突破每盎司1,000美元价位。金价高涨,使半导体封测业者与IC设计业者不得不正视金线高昂的成本,而积极投入其他金属打线技术研发,并计划导入量产。而铜打线技术发源于1980年代,除成本考虑外,铜的导电性、导热性及强韧度皆较金为佳,因此自2001年起,即大量应用于大功率组件及离散组件等线径粗、电负载量大的半导体产品。但受制于铜的硬度高于金,铜打线应用在IC封装时,由于电路复杂、结构脆弱、接脚细且密,导致打线技术难度大增、研发与认证投资不易回收。众所皆知,铜线非常容易氧化,包括贮存及运输均必须特别留意隔绝空气,在打线接合过程更需要极严格的惰性气体保护;更严重的是由于铜线的易氧化及腐蚀特性,将会导致打线接合产品的可靠度偏低,另一方面因为铜线的强度与硬度较高,使其焊线作业参数较窄、速度较慢及良率较差,尤其在最近相当热门的迭球打线接合封装,铜线遭遇极大困难,迫使封装厂不得不采用“金铜混打”的变通方案,可是仍然不能完全克服迭球在金/铜界面所出现的质量不佳问题。因应上述现存技术的缺点,本专利技术人对封装导线材料进行改进,本案由此产生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种封装导线材料结构以及其加工方法,以避开了使用铜所衍生的问题,并减少金的使用量,降低成本。为了达成上述目的,本专利技术的技术方案是:一种封装导线材料结构,由中间线芯和表面镀层组成,中间线芯为钨丝,表面镀层为金,由此形成内钨外金的结构。其中,中间线芯的钨丝直径为12.7微米,表面镀层的厚度为2微米。一种封装导线材料加工方法,其步骤如下:第一步,模压:将固定重量的钨粉放进不锈钢模具中,挤压成一整根棒;第二步,预烧结:将第一步的这根易碎的棒放置在难熔金属器皿中,并放入氢气烧结炉中,高温1200~1600℃使金属颗粒不断地凝聚在一起;这一过程中,致密性可到达约60%~70%,粒度不会增加;第三步,完全烧结:将钨棒的两端垂直夹持在垂熔炉的上、下夹头,采用低电压、高电流供电(电压9-12V,电流8000-12000A),使钨坯条自身升温。通过增大电流提高烧结温度,烧结温度最高达3000℃左右,而产生的热量会使钨棒的致密性达到约85%至95%,与此同时,棒的内部钨晶体开始形成;断电,通入循环水对上、下夹头进行冷却;第四步,挤锻压加工:对第三步的棒加温到1200℃到1500℃,采用锤锻机捶打钨棒,直到钨棒的直径达到6350到2540微米;第五步,拉拔:第四步挤锻压过的钨棒再通过拉丝模拉拔,使其直径达到12.7微米,制成钨丝;第六步,钨丝镀金:对第五步已完成的钨丝进行镀金,镀金厚度约为2微米,制成具有内钨外金结构的封装导线材料。采用上述方案后,本专利技术使用钨线镀金的方式来解决现有技术中的缺点,利用钨的耐高温、高韧性及延展性,高抗氧化能力(在常压下,要达到400~500℃,才会产生氧化反应,但反应的生成物WO3会形成一表面保护膜,阻止氧化深入内部),低电子迁移率,在高温下加工,可以制造出比金线更细之钨丝,但由于其高电阻值问题,故佐以表面镀金以减少电阻,提高电子传输的能力,并且钨丝镀金后,其将更为耐高温,抗腐蚀,热膨胀系数低。由于本专利技术主要使用钨丝为封装打线接合材料,大大减少金的使用量,也避开了使用铜所衍生的问题,达到降低成本,并改善现存技术的缺点。附图说明图1是本封装导线材料的结构示意图;图2是本封装导线材料的加工方法流程图。具体实施方式如图1所示,本专利技术揭示的一种封装导线材料结构,由中间线芯1和表面镀层2组成,中间线芯1为钨丝,钨丝直径优选为12.7微米,表面镀层2为金,表面镀层的厚度优选为2微米,由此形成内钨外金的结构。如图2所示,本专利技术揭示的一种封装导线材料是按如下步骤加工而成。第一步,模压。将固定重量的钨粉放进不锈钢模具中,挤压成一整根棒。第二步,预烧结。将第一步的这根易碎的棒放置在难熔金属器皿中,并放入氢气烧结炉中,高温1200~1600℃使金属颗粒不断地凝聚在一起;这一过程中,致密性可到达约60%~70%,粒度不会增加。第三步,完全烧结。将钨棒的两端垂直夹持在垂熔炉的上下夹头肩,采用低电压、高电流供电(电压9-12V,电流8000-12000A),使钨坯条自身升温。通过增大电流提高烧结温度,烧结温度最高达3000℃左右,而产生的热量会使钨棒的致密性达到约85%至95%,与此同时,棒的内部钨晶体开始形成;断电,通入循环水对上、下夹头进行冷却。第四步,挤锻压加工。第三步的钨棒是比较结实的,但在常温下还是比较脆的。本专利技术通过提高它的温度到1200℃到1500℃,钨棒可以变得更有韧性。在这一温度下,采用锤锻机捶打钨棒,钨棒被挤压。锤锻机是通过一种模具每分钟10000次有规律地捶打钨棒来减少钨棒的直径的装置。通常,每捶打一次钨棒的直径会减少12%。通过挤锻压,使晶体结构拉成变成纤维结构。但要使成品的强度和柔韧性得到改善,钨棒必须不断地被重新加热到1800~2500℃,且捶打要一直持续到钨棒的直径达到6350到2540微米。第五步,拉拔。第四步挤锻压过的钨棒直径偏粗,接下来要通过拉丝模拉拔使其直径变得更细。丝被通过硬质合金拉丝模或金刚石拉丝模润滑和拉拔,使其直径达到12.7微米,制成钨丝。第六步,钨丝镀金。对第五步已完成的钨丝进行镀金,镀金厚度约为2微米,制成具有内钨外金结构的封装导线材料。本文档来自技高网
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一种封装导线材料结构及其加工方法

【技术保护点】
一种封装导线材料结构,其特征在于:由中间线芯和表面镀层组成,中间线芯为钨丝,表面镀层为金,由此形成内钨外金的结构。

【技术特征摘要】
1.一种封装导线材料加工方法,其特征在于步骤如下:第一步,模压:将固定重量的钨粉放进不锈钢模具中,挤压成一整根棒;第二步,预烧结:将第一步的棒放置在难熔金属器皿中,并放入氢气烧结炉中,高温1200~1600℃使金属颗粒凝聚在一起,致密性到达60%~70%;第三步,完全烧结:将第二步棒的两端垂直夹持在垂熔炉的上、下夹头,采用低电压、高电流供电,电压9-12V,电流8000-12000A,使钨坯条自身升温,通过增大电流提高烧结温度,烧结温度最高...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘伯彦周斌钟其龙王晓靁刘崇志
申请(专利权)人:厦门润晶光电有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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