本发明专利技术的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本发明专利技术的发光装置具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本专利技术的发光装置具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。【专利说明】发光装置
本专利技术涉及发光装置。
技术介绍
利用了发光二极管等半导体芯片（发光元件）的发光装置由于小型化容易并且能 够获得高发光效率而被广泛使用。 利用了半导体芯片的发光装置，若大致区分，则存在如下两种：在半导体芯片上设 置衬垫电极的面是与安装基板相反侧的面的面朝上型（face up type)、和在与安装基板对 置的面即半导体芯片的下表面设置了电极的面朝下型（face down type)。 对于面朝上型，由于将半导体芯片装配于导线（lead)等并通过接合线（bonding wire)等对半导体芯片与导线之间进行连接，因此在安装于安装基板并从与该基板的表面 垂直的方向进行了俯视的情况下，接合线的一部分需要比半导体芯片更位于外侧，小型化 存在限度。 另一方面，对于面朝下型（多采取倒装片型的形态），能够通过在从与安装基板的 表面垂直的方向进行了俯视的情况下位于半导体芯片的内侧的凸块以及金属柱等连接手 段，将设置于半导体芯片的表面的衬垫电极、与设置在安装基板上的布线电连接。 由此，能够实现将发光装置的尺寸（尤其是从与安装基板垂直的方向进行了俯视 的尺寸）小型化至接近半导体芯片的程度的CSP (Chip Size Package,芯片尺寸封装）。 而且，最近为了促进更进一步的小型化或者进一步提高发光效率，使用了将蓝宝 石等的生长基板（透光性基板）除去或使其厚度变薄的面朝下型的发光装置。 生长基板是用于在其上使构成半导体芯片的p型半导体层以及η型半导体层生长 的基板，通过支撑厚度薄且强度低的半导体芯片还具有使发光装置的强度提高的效果。 因此，对于在形成了半导体芯片（LED芯片）之后除去了生长基板的发光装置以及 虽然具有生长基板但其厚度很薄的发光装置，例如，如专利文献1所示，为了支撑半导体芯 片而在电极侧（与安装基板对置的一侧）设置树脂层，并且形成贯穿该树脂层的金属柱，通 过该金属柱将半导体芯片的电极与设置于安装基板的布线（布线层）电连接。 于是，通过具有包含该金属柱的树脂层，发光装置能够确保充分的强度。 在先技术文献 专利文献 专利文献1 :JP特开2010-141176号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 但是，专利文献1所记载的金属柱由于形成需要很多时间等，因此具有量产性低 的问题。为了使发光装置具有充分的强度，树脂层需要具有例如数十微米程度以上或1_ 以上这种充分的厚度，因此，金属柱也需要数十μ m以上或1mm以上的厚度。另一方面，金 属柱通常通过电解镀敷法而形成，因此为了像这样形成厚的金属柱（金属膜）需要很长时 间，因而存在量产性（生产率）低的问题。 因此，本专利技术的目的在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的 发光装置。 解决课题的手段 本专利技术的发光装置具有：半导体芯片，其包含P型半导体层和η型半导体层，在该 Ρ型半导体层与该η型半导体层之间发光；ρ侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面 侧且配置在所述Ρ型半导体层上；η侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置 在所述η型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和ρ侧连接电极 以及η侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所 述Ρ侧衬垫电极与所述Ρ侧连接电极之间以及所述η侧衬垫电极与所述η侧连接电极之间 的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。 专利技术效果 本专利技术所涉及的发光装置，具有能够小型化的构成，具有充分的强度，并且具备高 量产性。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示本专利技术的实施方式1所涉及的发光装置100的图，图1(a)是发光装置 100的简要俯视图，图1 (b)是表不图1 (a)的Ib_Ib剖面的简要剖面图，图1 (c)是表不图 1(a)的Ic-Ic剖面的简要剖面图。 图2是表不形成了半导体芯片的状态的图，图2 (a)是简要俯视图，图2 (b)是表不 图2(a)的Ilb-IIb剖面的简要剖面图，图2(c)是表示图2(a)的IIc-IIc剖面的简要剖面 图。 图3是表示沿着半导体芯片的外周部使生长基板19的上表面露出的状态的图，图 3(a)是简要俯视图，图3(b)是表示图3(a)的Illb-IIIb剖面的简要剖面图，图3(c)是表 示图3(a)的IIIc-IIIc剖面的简要剖面图。 图4是表示配置了金属丝1以及金属丝3的状态的图，图4(a)是简要俯视图，图 4(b)是表示图4(a)的IVb-IVb剖面的简要剖面图，图4(c)是表示图4(a)的IVc-IVc剖面 的简要剖面图。 图5是表不形成了树脂层21的状态的图，图5 (a)是简要俯视图，图5 (b)是表不 图5(a)的Vb-Vb剖面的简要剖面图，图5(c)是表示图5(a)的Vc-Vc剖面的简要剖面图。 图6是表示金属丝1以及金属丝3的另一个端部从树脂层21的上表面露出的状态 的图，图6 (a)是简要俯视图，图6(b)是表示图6(a)的VIb-VIb剖面的简要剖面图，图6(c) 是表示图6(a)的VIc-VIc剖面的简要剖面图。 图7是表示在树脂层21的上表面形成了连接电极23a以及连接电极23b的状态的 图，图7 (a)是简要俯视图，图7(b)是表示图7(a)的Vllb-VIIb剖面的简要剖面图，图7(c) 是表示图7(a)的VIIc-VIIc剖面的简要剖面图。 图8是表示除去了生长基板19的状态的图，图8 (a)是与图7(a)的Vllb-VIIb剖 面相当的剖面的简要剖面图，图8(b)是与图7(a)的VIIc-VIIc剖面相当的剖面的简要剖 面图。 图9是表示实施方式1所涉及的发光装置100的第1变形例的图，图9(a)是表示 与图1的Ib-Ib剖面相当的剖面的简要剖面图，图9(b)是表示与图1的Ic-Ic剖面相当的 剖面的简要剖面图。 图10是表示实施方式1所涉及的发光装置100的第2变形例的图，图10(a)是表 示与图1的Ib-Ib剖面相当的剖面的简要剖面图，图10(b)是表示与图1的Ic-Ic剖面相 当的剖面的简要剖面图。 图11是表示实施方式1的第3变形例所涉及的发光装置100A的图，图11 (a)是 发光装置100A的简要俯视图，图11 (b)是表示图11 (a)的Xlb-XIb剖面的简要剖面图，图 11(c)是表示图11(a)的XIc本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层和该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方，通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：米田章法，木内章喜，笠井久嗣，粟饭原善之，佐佐博凡，中村伸治，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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