【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括沟道区，以及分别位于沟道区两侧，且与沟道区接触的源区和漏区，所述的沟道区、源区和漏区均为氘掺杂的金属氧化物。本专利技术的基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管以氘掺杂的金属氧化物作为沟道区、源区和漏区，能够降低源区和漏区的电阻率，提高沟道区的载流子迁移率，进而有利于提高薄膜晶体管的开态电流、场效应迁移率以及开关速度。且本专利技术的基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管在温度为200℃的情况下，氘不扩散，晶体管仍然保持良好的电学性能。【专利说明】基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体 管。
技术介绍
基于金属氧化物的透明薄膜晶体管，随着在平板显示屏中的成功应用高速发展起 来。近年来，平板显示屏不断追求大尺寸和高分辨率，如超高清的大尺寸智能电视，配备高 分辨率显示屏的各种移动设备，这些产品的普及丰富了人们的生活，提高了人们的工作效 率，同时也带来了巨大的经济效益。由于传统的非晶硅薄膜晶体管迁移率...
【技术保护点】
一种基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管，包括沟道区，以及分别位于沟道区两侧，且与沟道区接触的源区和漏区，其特征在于，所述的沟道区、源区和漏区均为氘掺杂的金属氧化物。
【技术特征摘要】
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